mos

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MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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mos技術(shù)

MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個(gè)電容？居然能解決MOS誤導(dǎo)通的問(wèn)題？

Part 01 前言在MOSFET中，dv/dt指的是MOSFET在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)期間，其漏源電壓Vds的變化率，即漏極和源極之間電壓隨時(shí)間的變化速度。一般...

2024-11-12 標(biāo)簽：MOSFET 電容 MOS 1.6萬(wàn) 0

異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片F(xiàn)P6291，最高輸出5-12V/5-7W，輸入限流可調(diào)

芯片概述FP6291是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。FP6291它的PWM電路內(nèi)置0.2Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多...

2024-11-09 標(biāo)簽：芯片轉(zhuǎn)換器 MOS 896 0

MOS管在儲(chǔ)能變流器上的應(yīng)用

1、儲(chǔ)能交流器(PCS)儲(chǔ)能變流器(PCS)的定義儲(chǔ)能變流器，又稱雙向儲(chǔ)能逆變器，英文名PCS(PowerConversionSystem)，是儲(chǔ)能系統(tǒng)...

2024-11-08 標(biāo)簽：MOS PCS 儲(chǔ)能變流器 1011 0

多晶硅柵工藝的制造流程

與亞微米工藝類(lèi)似，多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極，柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導(dǎo)通。淀積的多晶硅是未摻雜的，它是通過(guò)后續(xù)的源漏離子注入進(jìn)...

2024-11-07 標(biāo)簽：晶圓工藝 MOS 1573 0

浮思特 | 第四代場(chǎng)阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能

由于其低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)能量損耗，IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域，如電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器和電動(dòng)汽車(chē)等。對(duì)更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開(kāi)發(fā)及寬禁帶材...

2024-11-06 標(biāo)簽：IGBT MOS 功率器件 637 0

低壓差線性穩(wěn)壓器AiP73XX系列產(chǎn)品介紹

低壓差線性穩(wěn)壓器，是一種輸入電壓大于輸出電壓的直流交流穩(wěn)壓器，可以分為雙極型和MOS型。雙極型LDO可以承受高輸入電壓，靜態(tài)電流為mA級(jí)別，MOS型LD...

2024-11-01 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器 MOS 穩(wěn)壓電路 925 0

FP6277同步內(nèi)置MOS升壓恒壓5V/3A芯片，輸入限流可調(diào)

FP6277是一個(gè)具有PWM/PSM控制的電流模式增壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置30mΩ高側(cè)開(kāi)關(guān)和30mΩ低側(cè)開(kāi)關(guān)使該調(diào)節(jié)器高高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)...

2024-10-26 標(biāo)簽：芯片直流轉(zhuǎn)換器 MOS 882 0

內(nèi)置MOS降壓恒流芯片F(xiàn)P7127，RGB洗墻燈舞臺(tái)燈三路共陽(yáng)DMX512調(diào)光方案，支持1階啟動(dòng)，調(diào)光深度0.01%

方案名稱遠(yuǎn)翔DC-DC內(nèi)置MOS降壓恒流芯片F(xiàn)P7127，內(nèi)置MOS降壓恒流芯片F(xiàn)P7127，RGB洗墻燈舞臺(tái)燈三路共陽(yáng)DMX512調(diào)光方案，支持1階啟...

2024-10-17 標(biāo)簽：芯片 RGB MOS 746 0

首發(fā)：耐壓85V 內(nèi)置MOS降壓控制器方案FP7132

FP7132是一種高效的降壓控制器。它被設(shè)計(jì)為在連續(xù)電流模式下工作，為高亮度的led供電，寬輸入電壓范圍為6V到85V。FP7132采用了一種滯后控制結(jié)...

2024-10-16 標(biāo)簽：控制器 MOS 電源芯片 618 0

科力微電子產(chǎn)品在便攜式儲(chǔ)能的應(yīng)用

? 面向消費(fèi)者的便攜式儲(chǔ)能是儲(chǔ)能市場(chǎng)新的藍(lán)海分支，一方面行業(yè)正處于高速發(fā)展期，另一方面產(chǎn)品具有消費(fèi)品屬性。便攜式儲(chǔ)能又稱“大號(hào)充電寶”“戶外電源”，廣泛...

2024-10-15 標(biāo)簽：功率二極管 MOS 儲(chǔ)能電源 687 0

使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點(diǎn)和范例

引言：雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動(dòng)，因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動(dòng)所破壞，使得并聯(lián)連接均衡變得困難。而功率MOS是由電壓驅(qū)動(dòng)的，因此只需...

2024-10-15 標(biāo)簽：并聯(lián)晶體管 MOS 1746 0

MPS光伏逆變器整體方案介紹

700V的內(nèi)置MOS，使得它可以用在單相逆變器的AC輔電中，滿足單相市電電壓輸入，且有著充足的裕量。內(nèi)置MOS還可以讓BOM精簡(jiǎn)，并縮減占板面積。HF5...

2024-10-12 標(biāo)簽：控制器 MOS 光伏逆變器 1718 0

vdmos和mos有什么區(qū)別

Vdmos（垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）和MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）是兩種不同類(lèi)型的半導(dǎo)體器件，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用等方面都有所區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)...

2024-09-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 VDMOS 晶體管 2511 0

開(kāi)關(guān)電源切載時(shí)MOS會(huì)有過(guò)充怎么辦？快來(lái)試試這個(gè)方法！

開(kāi)關(guān)電源切載時(shí)MOS會(huì)有過(guò)充怎么辦？快來(lái)試試這個(gè)方法！我本次調(diào)試的樣機(jī)主控IC為思睿達(dá)主推的成都啟臣微的CR6842S,這是一款高度集成的電流控制型PW...

2024-09-24 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源 MOS 轉(zhuǎn)化器 1273 0

廣電計(jì)量|功率場(chǎng)效應(yīng)管過(guò)壓失效機(jī)理及典型特征分析

失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過(guò)電失效，分為過(guò)壓失效及過(guò)流失效的兩種失效模式。對(duì)于以功率器件為代表的EOS過(guò)電失效樣品，其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...

2024-09-18 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS 失效機(jī)理 1514 0

系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開(kāi)關(guān)的影響分析

*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)的過(guò)流機(jī)理，以及開(kāi)通...

2024-08-30 標(biāo)簽：二極管 MOS sic器件 824 0

igbt模塊與mos的區(qū)別有哪些

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2024-08-07 標(biāo)簽：MOS 半導(dǎo)體材料雙極晶體管 1150 0

MOS的開(kāi)啟電壓測(cè)試方法及步驟

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2024-08-01 標(biāo)簽：電子設(shè)備 MOS 半導(dǎo)體器件 5485 0

3MOS和4MOS在功能上有什么區(qū)別

在現(xiàn)代電子技術(shù)中，晶體管是實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大、開(kāi)關(guān)控制等功能的關(guān)鍵元件。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，晶體管的尺寸不斷縮小，性能不斷提升。3MOS和4MOS作為兩種...

2024-07-25 標(biāo)簽：集成電路晶體管 MOS 2313 0

保護(hù)板5mos與3mos的區(qū)別

在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，保護(hù)板是一種重要的組件，它能夠保護(hù)電池在過(guò)充、過(guò)放、過(guò)流、短路等情況下不受損害。保護(hù)板通常由一些電子元件組成，如MOSFET...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOS 保護(hù)板柵極電壓 6521 0

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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹(shù)”組成的，在2009年10月1日天安門(mén)廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專(zhuān)家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無(wú)線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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