SK海力士CEO：HBM內(nèi)存占比料將破兩位數(shù)，全面提升盈利能力

面對(duì)股東對(duì)該公司去年在AI領(lǐng)域備受矚目及HBM熱賣背景下，仍然出現(xiàn)9萬億韓元（折合約482.4億元人民幣）凈虧問題的質(zhì)疑，郭魯正解釋為主要由占銷售額主導(dǎo)...

2024-03-28 標(biāo)簽：AINAND閃存SK海力士 609 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)：QLC閃存已完成4000次P / E擦寫，采用第三代Xtacking技術(shù)

值得注意的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席技術(shù)官（CTO）霍宗亮指出，NAND閃存行業(yè)已經(jīng)在飽受煎熬的2023年逐步復(fù)蘇，并有望在2023~2027年間實(shí)現(xiàn)21%的復(fù)合...

2024-03-28 標(biāo)簽：NAND閃存固態(tài)硬盤長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1917 0

慧榮推出FerriSSD單芯片高性能PCIe 4.0 BGA固態(tài)硬盤

FerriSSD BGA系列固態(tài)硬盤配有PCIe 4.0 x4傳輸協(xié)議，搭載了高密度3D NAND閃存，規(guī)格為16mm x 20mm，最高存儲(chǔ)容量達(dá)1T...

2024-03-27 標(biāo)簽：NAND閃存PCIe固態(tài)硬盤 741 0

SK海力士投建全球最大三層晶圓廠，預(yù)計(jì)2046年完工

早在2019年，SK海力士便宣布了這一宏偉計(jì)劃，然而因許可等問題，開發(fā)工作曾遭遇延誤。2022年，經(jīng)過與中央及地方政府以及企業(yè)的協(xié)商，項(xiàng)目方略獲得重大突破。

2024-03-25 標(biāo)簽：NAND閃存SK海力士HBM 767 0

美光DRAM與NAND閃存產(chǎn)品線豐富，QLC顆粒已占總量2/3

　在產(chǎn)品方面，美光引領(lǐng)行業(yè)實(shí)現(xiàn)32Gb單層架構(gòu)的128GB服務(wù)器內(nèi)存，并預(yù)計(jì)在未來六個(gè)月內(nèi)帶來數(shù)億美元的營(yíng)收。此外，在高速性能更高的MRDIMM領(lǐng)域，美...

2024-03-22 標(biāo)簽：服務(wù)器美光NAND閃存 906 0

康盈半導(dǎo)體全線亮相2024中國閃存市場(chǎng)峰會(huì)

3月20日，CFMS | memoryS 2024中國閃存市場(chǎng)峰會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“CFMS 2024”）在深圳寶安前海·JW萬豪酒店隆重召開，本屆峰會(huì)以“存...

2024-03-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DDRSSD 827 0

SK海力士中國業(yè)務(wù)重組，上海公司關(guān)閉遷至無錫

SK海力士3月17日發(fā)布的2023年審計(jì)報(bào)告顯示，其自2023年底起便啟動(dòng)了上海分部的清算工作。以2006年創(chuàng)立至今已運(yùn)營(yíng)17載的上海銷售分部為例。

2024-03-19 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存SK海力士 2564 0

SK海力士中國業(yè)務(wù)優(yōu)化：上海公司關(guān)閉，重心轉(zhuǎn)向無錫

依據(jù)SK海力士于3月17日公布的2023年度財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，此類計(jì)劃自去年第四季度即已啟動(dòng)，原有的上海銷售子公司自創(chuàng)立至今已有超過17年歷史。

2024-03-18 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存SK海力士 1615 0

今日看點(diǎn)丨蘋果著手開發(fā)M4芯片，采用臺(tái)積電2納米或3納米制程升級(jí)版；三星擬與下游廠商就NAND閃存漲價(jià)談判

1. 三星擬與下游廠商就NAND 閃存漲價(jià)談判，目標(biāo)漲價(jià)15~20% ? 近日，有報(bào)道稱三星計(jì)劃在本月至下月期間，同主要移動(dòng)端、PC 端、服務(wù)器端客戶就...

2024-03-14 標(biāo)簽：臺(tái)積電蘋果NAND閃存 1447 0

三星Q1利潤(rùn)將暴漲669%

WitDisplay消息，由于存儲(chǔ)器半導(dǎo)體行業(yè)的改善，三星電子等半導(dǎo)體公司今年第一季度（1月至3月）的業(yè)績(jī)有望大幅改善。

2024-03-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器晶圓 1773 0

西部數(shù)據(jù)分拆存儲(chǔ)業(yè)務(wù)：閃存與傳統(tǒng)硬盤的分離

自2021年起，西部數(shù)據(jù)及合作方鎧俠一直著手探討合并事宜，以便共同掌控占據(jù)全世界NAND閃存市場(chǎng)三分之一份額的市場(chǎng)份額。然而，2023年10月的合并協(xié)商...

2024-03-06 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器NAND閃存西部數(shù)據(jù) 1060 0

NAND Flash封裝模組短缺 大容量消費(fèi)級(jí)SSD價(jià)格或許會(huì)大幅上漲

1月23日消息，據(jù)外媒Tom’s Hardware報(bào)導(dǎo)，有市場(chǎng)人士表示，由4個(gè)或8個(gè)NAND Flash芯片組成的NAND封裝模組已經(jīng)供不應(yīng)求，特別是大...

2024-01-24 標(biāo)簽：SSD閃存芯片NAND閃存 1298 0

2024年DRAM、NAND Flash合約價(jià)將如何演繹呢？

存儲(chǔ)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最大的一個(gè)細(xì)分之一，一直以來，它是行情晴雨表。2024年電子存儲(chǔ)行情如何呢？

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND閃存 1733 0

三星今年或?qū)⒋罅ν七M(jìn)先進(jìn)DRAM生產(chǎn)

消息透露，自2023年末起，存儲(chǔ)芯片價(jià)格逐漸上漲；盡管整個(gè)行業(yè)陷入衰退期，受服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用拉動(dòng)，先進(jìn)DRAM芯片需求依然穩(wěn)健。而在另一方面，NAN...

2024-01-09 標(biāo)簽：DRAM數(shù)據(jù)中心NAND閃存 1173 0

DRAM漲價(jià)啟動(dòng)！Q1漲幅高達(dá)20%

有存儲(chǔ)模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價(jià)，但預(yù)計(jì)NAND價(jià)格將繼續(xù)上漲。2023年12月...

2024-01-08 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存DDR5 1105 0

2024首季NAND漲勢(shì)持續(xù) SSD價(jià)格也將上揚(yáng)

據(jù)TrendForce估計(jì)，2024年第一季度DRAM及NAND閃存（eMMC/UFS）平均季度漲幅將達(dá)18%-23%，壟斷市場(chǎng)或品牌廠商爭(zhēng)奪下，漲幅甚...

2024-01-08 標(biāo)簽：DRAMSSDNAND閃存 1949 0

東芝暫時(shí)關(guān)閉NAND閃存工廠！

1月4日消息，據(jù)外媒報(bào)道，日本的7.6級(jí)地震迫使石川縣的芯片和電子公司暫時(shí)關(guān)門，受影響的公司包括東芝、環(huán)球晶圓（GlobalWafers）、Murata等。

2024-01-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓NAND閃存 715 0