nand

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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

pSLC閃存的原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)...

2023-08-01 標(biāo)簽：閃存 NAND FlaSh 2655 0

如何降低寫(xiě)入放大系數(shù)對(duì)存儲(chǔ)器的影響

TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫(xiě)入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹T...

2023-07-25 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲(chǔ)器 925 0

淺析STM32 FSMC操作LCD的過(guò)程

FSMC稱(chēng)為靈活的靜態(tài)存儲(chǔ)器，它能夠與同步或異步存儲(chǔ)器和16位PC存儲(chǔ)器卡連接，STM32F4的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NO...

2023-07-22 標(biāo)簽：NAND 靜態(tài)存儲(chǔ)器 STM32F4 5000 0

蘋(píng)果閃存和固態(tài)硬盤(pán)的區(qū)別固態(tài)硬盤(pán)為什么不建議分區(qū)

蘋(píng)果閃存和SSD都基于閃存技術(shù)，但存在一些細(xì)微差別。蘋(píng)果閃存是專(zhuān)為蘋(píng)果產(chǎn)品而開(kāi)發(fā)的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術(shù)，而SSD可以是通用的，采用不同...

2023-07-19 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 6272 0

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

2023-07-12 標(biāo)簽：閃存 NAND 晶體管 2944 0

STM32的FSMC外設(shè)簡(jiǎn)介

Flexible static memory controller(FSMC)靈活的靜態(tài)存儲(chǔ)控制器。FSMC可以連接異步或同步存儲(chǔ)器或16位PC存儲(chǔ)卡

2023-07-11 標(biāo)簽：Nand SRAM控制器 AHB總線 2313 0

nand flash是固態(tài)硬盤(pán)嗎 nor flash與nand flash區(qū)別

　相對(duì)于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)，固態(tài)硬盤(pán)采用了閃存存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度、更低的能耗、更小的體積和更好的抗震性能。其中，Nand Flash 技術(shù)的發(fā)展...

2023-07-05 標(biāo)簽：NOR閃存 Nand 固態(tài)硬盤(pán) 4623 0

EMMC基礎(chǔ)知識(shí)簡(jiǎn)介

eMMC 是 embedded MultiMediaCard 的簡(jiǎn)稱(chēng)。MultiMediaCard，即 MMC，是一種閃存卡（Flash Memory...

2023-07-03 標(biāo)簽：Nand 存儲(chǔ)器 GPIO 8681 0

半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片分類(lèi)淺述

全球每年的存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模在1600億美元左右，而且隨著高性能計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，邊緣計(jì)算，智能穿戴市場(chǎng)，物聯(lián)網(wǎng)和車(chē)聯(lián)網(wǎng)全球市場(chǎng)規(guī)模的不斷做大，存儲(chǔ)器市場(chǎng)...

2023-07-03 標(biāo)簽：DRAM NAND 物聯(lián)網(wǎng) 3557 0

閑聊芯片封裝

芯片產(chǎn)業(yè)是一個(gè)分工很細(xì)的產(chǎn)業(yè)。設(shè)計(jì)公司做完邏輯和物理設(shè)計(jì)，將最終設(shè)計(jì)結(jié)果交給芯片生產(chǎn)廠。

2023-06-29 標(biāo)簽：NAND 芯片設(shè)計(jì)芯片封裝 5025 0

NAND芯片是用于哪些領(lǐng)域 NAND和SSD的區(qū)別

閃存存儲(chǔ)設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤(pán)等。

2023-06-28 標(biāo)簽：NAND 固態(tài)硬盤(pán)內(nèi)存卡 1.1萬(wàn) 0

亂碼電路第2部分：通用解決方案

構(gòu)建用于評(píng)估特定函數(shù)f（x）的通用解決方案的一種方法是設(shè)計(jì)一個(gè)電路，將可能的輸入x映射到可能的輸出f（x）。例如，考慮一個(gè)NAND門(mén)：

2023-06-27 標(biāo)簽：NAND 函數(shù)生成器 1217 0

SPI NAND驅(qū)動(dòng)性能測(cè)試分析與優(yōu)化

既然是追求性能,所以我們后面就都基于X4模式進(jìn)行了。

2023-06-21 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)SPI 3048 0

NAND里的LDO設(shè)計(jì)

我們當(dāng)然希望LDO的輸出準(zhǔn)確、負(fù)載（電流）變化時(shí)能夠快速響應(yīng)。

2023-06-19 標(biāo)簽：NAND 比較器電源電壓 2326 0

基于NAND門(mén)的方波發(fā)生器電路

方波廣泛用于許多數(shù)字電路。許多組合邏輯電路都需要這種波來(lái)工作。以下是您可以使用NAND，逆變器和施密特觸發(fā)門(mén)生成簡(jiǎn)單方波的幾種方法。這些方波發(fā)生器非常適...

2023-06-18 標(biāo)簽：NAND 發(fā)生器電路方波發(fā)生器 2878 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間...

2023-06-15 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片蝕刻技術(shù) 2754 0

3D NAND刻蝕工藝的挑戰(zhàn)及特點(diǎn)

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-12 標(biāo)簽：集成電路 NAND 3D 1316 0

3D NAND沉積技術(shù)的特點(diǎn)及挑戰(zhàn)

2023-06-12 標(biāo)簽：集成電路 NAND 3D 880 0

SPI NAND完全解讀-基于GD5F1GM7xExxG

本文以具體型號(hào)為GD5F1GM7xExxG的GD的NAND為例,對(duì)SPI NAND Flash進(jìn)行介紹。不同廠家的不同型號(hào)都大同小異了解一款其他的也就都了解了。

2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式 NAND FlaSh 1.6萬(wàn) 0

使用邏輯分析儀Acute TravelLogic Analyzer進(jìn)行SPI NAND驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)調(diào)試

2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 調(diào)試 7024 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
福建晉華

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
Arasan

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嵌入式閃存

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)

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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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