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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路,即CMOS電路。
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引言:功率MOSFET需要串聯(lián)連接在鋰離子電池組和輸出負(fù)載之間,同時專用鋰電池保護(hù)IC用于控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,以管理電池的充電和放電。 在諸如...
“晶體管開關(guān)”,是使用晶體管控制電路通斷的開關(guān)。根據(jù)實際應(yīng)用場景,也稱“模擬開關(guān)(analog Switch)”或“邏輯開關(guān)(Logic Switch)...
2023-06-12 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOS管NMOS 4114 0
由于此結(jié)構(gòu)畫出的電路圖有點兒像印第安人的圖騰柱,所以叫圖騰柱式輸出(也叫圖騰式輸出)。輸出極采用一個上電阻接一個NPN型晶體管的集電極,這個管子的發(fā)射極...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源邏輯電路 1.6萬 0
引言:MOS管開關(guān)電路在分立設(shè)計里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計上具有非常大的創(chuàng)新性。以下電路均以使用增強型MO...
絕緣柵場效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識
場效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。
2023-06-08 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 1108 0
描述:采用二極管進(jìn)行保護(hù),電路簡單,成本低,占用空間少,但是二極管PN結(jié)在導(dǎo)通時,會存在一定的壓降,一般在0.5V左右(主要根據(jù)選型的二極管參數(shù)決定)
都說酒是穿腸藥,色是刮骨刀,那么在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,咱門的MOS管大哥,便是傳統(tǒng)真空管電子以及分離式固態(tài)射頻電路的 意大利炮 ,正逐步用他那無與倫比的性能...
NMOS場效應(yīng)管/PMOS場效應(yīng)管防反保護(hù)解析
NMOS場效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場效應(yīng)管NMOS控制電路 2556 0
利用CMOS設(shè)計電路需先自行學(xué)習(xí)NMOS和PMOS的基本原理。
采用Class-AB輸出級設(shè)計的運放可在較低的靜態(tài)電流下實現(xiàn)軌對軌輸出,推挽的輸出方式使得其在大信號建立時的電流不受靜態(tài)電流的限制,可以實現(xiàn)更好的壓擺率...
低功耗設(shè)計的重要性,從下圖可窺一斑,隨著工藝節(jié)點的推進(jìn)演化,45nm工藝的動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗相比90nm工藝分別增加到了2倍、6.5倍。
2023-04-04 標(biāo)簽:NMOS低功耗設(shè)計漏電流 4752 0
眾所周知,隨著芯片越來越大,功能越來越豐富,以及移動市場的切實需求,低功耗的芯片設(shè)計,越來越受到推崇。這里,結(jié)合多年的低功耗設(shè)計經(jīng)驗,把一些理念和方法,...
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