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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用設(shè)計(jì)指南
本文通過(guò)分析低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的等效電路來(lái)計(jì)算如何合理的選取RGATE電阻的阻值,既要保持MOS管的良好開(kāi)關(guān)性能,還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。
基于邏輯門的構(gòu)成解釋如何完成任意邏輯的管級(jí)電路設(shè)計(jì)
明白上述原因后,就可以理解輸出的高電平由上管決定,低電平由下管決定。為了保證在某一時(shí)刻,輸出只能為高電平或低電平,需要結(jié)合上下管,即當(dāng)上管導(dǎo)通時(shí),下管必...
2022-12-13 標(biāo)簽:電流電路設(shè)計(jì)邏輯門 2676 0
接錯(cuò)電源正負(fù)極電路冒煙了,如何避免這種尷尬?
硬件工程師的很多項(xiàng)目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象,導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀,甚至整塊板子都廢掉,還得再焊接一塊,不知道有什么...
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管/PMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)解析
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時(shí)候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管NMOS控制電路 2556 0
電路設(shè)計(jì)時(shí),不同的子系統(tǒng)之間無(wú)可避免的需要數(shù)字信號(hào)傳遞,不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間,數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致,故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路;
教你如何計(jì)算MOS管的開(kāi)關(guān)電路(二)
負(fù)載串聯(lián)型開(kāi)關(guān)相比于上節(jié)講到的接地型和跟隨型開(kāi)關(guān),使用更加廣泛,無(wú)論是輕負(fù)載還是重負(fù)載,電路幾乎沒(méi)有額外電流損耗。
Vt roll-off核心是(同一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)下面)閾值電壓與柵長(zhǎng)之間的關(guān)系。當(dāng)溝道長(zhǎng)度比較長(zhǎng)的時(shí)候,Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長(zhǎng)度的減小,閾值電壓會(huì)下...
今天在群里看到了一張圖,是TI的一個(gè)40V~400V非隔離型的高端電流檢測(cè)方案的一個(gè)原理框圖,這個(gè)圖里,比較有意思的一點(diǎn)就是巧妙的利用了穩(wěn)壓二極管改...
2023-12-06 標(biāo)簽:二極管運(yùn)算放大器穩(wěn)壓二極管 2258 0
LDO是Low Dropout Regulator的縮寫(xiě),意思是低壓差線性穩(wěn)壓器。
2023-05-29 標(biāo)簽:ldo線性穩(wěn)壓器穩(wěn)壓管 2157 0
在之前圍繞STM32的GPIO的基本結(jié)構(gòu)進(jìn)行了介紹,圖1為STM32的5V容忍的GPIO口內(nèi)部基本結(jié)構(gòu)圖,圖2為GPIO的基本結(jié)構(gòu)中各個(gè)模塊部分的概述。
PMOS LDO線性穩(wěn)壓器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
當(dāng)輸出電壓增大時(shí),F(xiàn)B增大,放大器輸出電壓增加,PMOS管的G極電壓增大,Usg減小,PMOS的輸出電流和電壓較小,形成了一個(gè)負(fù)反饋系統(tǒng)。
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