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      sic

      sic

      +關(guān)注31人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2836個(gè) 瀏覽：65183次 帖子：124個(gè)

      sic技術(shù)

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      Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET...

      2025-07-10 標(biāo)簽：MOSFETSiC柵極驅(qū)動器 128 0

      Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車級故障保護(hù)收發(fā)器數(shù)據(jù)手冊

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      Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車級故障保護(hù)收發(fā)器是一款具有信號改善能力 (SIC) 的高速控制器局域網(wǎng) (CAN) 收發(fā)...

      2025-07-09 標(biāo)簽：收發(fā)器局域網(wǎng)SiC 132 0

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      GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中，如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...

      2025-07-09 標(biāo)簽：機(jī)器人晶體管SiC 1113 0

      解鎖高效驅(qū)動！onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動器評估板全解析

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      NCP51752是一款隔離單通道柵極驅(qū)動器系列產(chǎn)品，具備+4.5A源極電流和-9A吸收峰值電流，專為快速切換設(shè)計(jì)，能夠驅(qū)動功率MOSFET和SiCMOS...

      2025-07-09 標(biāo)簽：SiConsemiNCP51752 550 0

      浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開爾文源極結(jié)構(gòu)

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      本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計(jì)方面的進(jìn)展，重點(diǎn)關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗方面的作用，以及開爾文源極連...

      2025-07-08 標(biāo)簽：MOSFET封裝SiC 133 0

      碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

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      一、引言 碳化硅（SiC）襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵，其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動對刀系統(tǒng)決定切割起始位置準(zhǔn)確性，進(jìn)給參數(shù)控制切割過...

      2025-07-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 169 0

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      /引言/碳化硅（SiC）器件憑借其出色的電氣和熱性能，正在逐步取代傳統(tǒng)硅（Si）器件，成為高效能電子系統(tǒng)中的新寵。那么，SiC到底有何獨(dú)特之處？特別是在...

      2025-07-02 標(biāo)簽：肖特基二極管SiC電容效應(yīng) 172 0

      CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

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      之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特點(diǎn)及導(dǎo)通特性（參考閱讀：CoolSiCMOSFETGen2性能綜述，CoolSiCMOS...

      2025-06-23 標(biāo)簽：MOSFETSiC仿真電路 210 0

      SiC MOSFET模塊的損耗計(jì)算

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      為了安全使用SiC模塊，需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對IGBT，M...

      2025-06-18 標(biāo)簽：MOSFETIGBT三菱電機(jī) 2196 0

      方正微1200V Easy2B碳化硅模塊在135kW PCS中的應(yīng)用

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      隨著全球能源需求不斷上升，我國“雙碳”戰(zhàn)略的逐步推進(jìn)和新能源行業(yè)的快速發(fā)展，近年來光伏儲能充電系統(tǒng)(PCS-Photovoltaic Storage C...

      2025-06-17 標(biāo)簽：MOSFETSiCPCS 645 0

      CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析

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      上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特性（參考文章：CoolSiCMOSFETG2性能綜述）。那么在實(shí)際應(yīng)用中，G2如何進(jìn)行正確的...

      2025-06-16 標(biāo)簽：英飛凌MOSFETSiC 201 0

      安森美SiC Combo JFET的靜態(tài)特性和動態(tài)特性

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      安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系...

      2025-06-16 標(biāo)簽：安森美JFETSiC 690 0

      SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

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      碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來源：Pixa...

      2025-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 162 0

      安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹

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      SiC MOSFET計(jì)算損耗的方法

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      本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對開關(guān)波形進(jìn)行分割，并使...

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      亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動...

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      基于芯干線氮化鎵與碳化硅的100W電源適配器方案

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      碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

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      碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。

      2025-06-04 標(biāo)簽：SiC碳化硅驅(qū)動電壓 524 0

      功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析：以SiC與IGBT為例

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      隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...

      2025-06-03 標(biāo)簽：IGBTSiC芯片封裝 443 0

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        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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        董明珠
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級 、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • LT8705
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