SiC器件的工作原理與主要優(yōu)勢(shì)！

在追求能源效率和對(duì)高性能電力電子系統(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng)的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩(wěn)定性，正在變革傳統(tǒng)功率電子技術(shù)。

2024-04-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 1708 0

在EV中使用第4代SiC MOSFET：裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)

使用電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試結(jié)果，按照油耗測(cè)試方法WTLC進(jìn)行了模擬行駛仿真，確認(rèn)了第4代SiC MOSFET對(duì)電耗的改善效果。

2024-04-17 標(biāo)簽：MOSFET逆變器PFC 1047 0

SiC MOSFET短路失效的兩種典型現(xiàn)象

短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機(jī)械等多種應(yīng)力的作用，其退化機(jī)理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進(jìn)行論證分析。

2024-04-17 標(biāo)簽：MOSFET變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3812 0

碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

隨著全球?qū)Ω咝?、更可持續(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。

2024-04-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件SiC 1149 0

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性，包括更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。

2024-04-12 標(biāo)簽：變壓器電感器功率器件 743 0

碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比于傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點(diǎn)。

2024-04-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 1927 0

深入對(duì)比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（M...

2024-04-10 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管SiC 1745 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

2024-04-09 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 570 0

全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

SiC功率器件市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)階段，特別是在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的推動(dòng)下，其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告，汽車行業(yè)對(duì)SiC功...

2024-04-07 標(biāo)簽：新能源汽車晶圓功率器件 979 0

深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢(shì)

SiC市場(chǎng)格局仍由海外巨頭主導(dǎo)，市占率排名依次是：意法半導(dǎo)體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機(jī)等。

2024-04-01 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 3994 0

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動(dòng)。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。

2024-03-26 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 782 0

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個(gè)原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，...

2024-03-26 標(biāo)簽：SiC晶片光刻機(jī) 1654 0

安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關(guān)。

2024-03-26 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET安森美 2527 0

碳化硅功率器件：革新未來能源與電力電子技術(shù)的關(guān)鍵材料

隨著全球?qū)Ω咝茉吹牟粩嘧非蠛碗娮蛹夹g(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能邊界。

2024-03-21 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 893 0

淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識(shí)

電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛，是汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。

2024-03-21 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT電機(jī)控制器 2809 0

碳化硅MOS、超結(jié)MOS與IGBT性能比較

Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時(shí)，漂移層會(huì)變厚，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。

2024-03-19 標(biāo)簽：二極管IGBTMOS 9556 0

SiC驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)（變壓器部分）

在設(shè)計(jì)SiC（碳化硅）驅(qū)動(dòng)電源時(shí)，需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)：

2024-03-18 標(biāo)簽：IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電源 2751 0