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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方案

為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗(yàn)方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐tion）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與遺傳算法，提出了一種銅線鍵合工藝參...

2024-01-03 標(biāo)簽：SiC 功率模塊鍵合 1227 0

聊聊SiC在電動(dòng)汽車(chē)上的應(yīng)用

上期EV焦點(diǎn)欄目我們聊了聊電動(dòng)汽車(chē)為什么要上800V，也大致了解了SiC和800V互相成就的關(guān)系。今天這期，我們相對(duì)放大一下，聊聊SiC在電動(dòng)汽車(chē)上的應(yīng)用。

2024-01-02 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)MOSFET 電池充電 1469 0

基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)

關(guān)鍵技術(shù)-SiC門(mén)驅(qū)動(dòng)回路/電容器通過(guò)SiC門(mén)驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過(guò)采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感

2024-01-02 標(biāo)簽：電容器逆變器 SiC 489 0

?碳化硅助力實(shí)現(xiàn)PFC技術(shù)的變革

碳化硅（SiC）功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來(lái)，汽車(chē)行業(yè)向電力驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)變推動(dòng)了碳化硅（SiC）應(yīng)用的增長(zhǎng)，也...

2024-01-02 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 PFC 1717 0

如何在大功率應(yīng)用中減少損耗、提高能效并擴(kuò)大溫度范圍

作者：Art Pini 投稿人：DigiKey 北美編輯功耗密集型應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要更小、更輕、更節(jié)能的電源轉(zhuǎn)換器，能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動(dòng)...

2024-01-01 標(biāo)簽：MOSFET 大功率電源轉(zhuǎn)換器 1026 0

使用Cauer網(wǎng)絡(luò)仿真熱行為與對(duì)開(kāi)關(guān)損耗影響的評(píng)估

過(guò)去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件...

2023-12-29 標(biāo)簽：安森美 SiC 熱仿真 2348 0

如何實(shí)現(xiàn)一種7.5kW電動(dòng)汽車(chē)碳化硅逆變器的設(shè)計(jì)呢？

第三代功率半導(dǎo)體碳化硅SiC具有高耐壓等級(jí)、開(kāi)關(guān)速度快以及耐高溫的特點(diǎn)，能顯著提高電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。

2023-12-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器散熱器 2583 0

4H-SiC缺陷概述

4H-SiC概述（生長(zhǎng)、特性、應(yīng)用）、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學(xué)顯微鏡，TEM，SEM/散射光等...

2023-12-28 標(biāo)簽：SEM SiC TEM 4186 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及發(fā)展

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理特性，如高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等，在功率器件領(lǐng)域展...

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 837 0

碳化硅器件封裝技術(shù)解析

碳化硅（ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于硅基器件的傳統(tǒng)封裝方式寄生電感參數(shù)較大，難以匹配 SiC 器件...

2023-12-27 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)封裝技術(shù)SiC 3230 0

物理氣相傳輸法生長(zhǎng)SiC晶圓中的缺陷和測(cè)試

和Si晶體拉晶工藝類(lèi)似，PVT法制備SiC單晶和切片形成晶圓過(guò)程中也會(huì)引入多種缺陷。這些缺陷主要包括：表面缺陷；引入深能級(jí)的點(diǎn)缺陷；位錯(cuò)；堆垛層錯(cuò)；以及...

2023-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 4251 0

碳化硅功率器件的工作原理和優(yōu)勢(shì)

　　隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用，從電動(dòng)汽車(chē)到數(shù)據(jù)中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。在這一領(lǐng)域，碳化硅...

2023-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 903 0

門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的重要性

一個(gè)良好的功率電路不僅由靜態(tài)器件如SiC和GaN MOSFETs組成，還包含了門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。這是一個(gè)獨(dú)立的元素，位于電子開(kāi)關(guān)之前，確保以最佳方式為其提供驅(qū)...

2023-12-24 標(biāo)簽：SiC 開(kāi)關(guān)器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)器 1121 0

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來(lái)說(shuō)，高溫?cái)U(kuò)散工藝簡(jiǎn)單，設(shè)備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫?cái)U(kuò)散工...

2023-12-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 4212 0

SiC MOSFET中的交流應(yīng)力退化

本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面，涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力（也稱為柵極開(kāi)關(guān)應(yīng)力）導(dǎo)致的閾值電壓 (VT) 退化及其影響溝槽幾何器...

2023-12-22 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 1328 0

碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導(dǎo)...

2023-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1302 0

8英寸SiC晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

碳化硅（SiC）材料被認(rèn)為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC基功率器件帶來(lái)一系列優(yōu)勢(shì)。近年來(lái)，隨著新能源汽車(chē)企業(yè)...

2023-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 3424 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰的抑制方法簡(jiǎn)析（下）

高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。

2023-12-20 標(biāo)簽：MOSFET 電磁干擾 SiC 6629 2

碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡(jiǎn)析

碳化硅（SiC）是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料，其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

2023-12-19 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SBD 1115 0

SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里

在我們的傳統(tǒng)印象中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件，而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車(chē)充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...

2023-12-16 標(biāo)簽：MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 949 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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