完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
文章:2838個(gè) 瀏覽:65252次 帖子:124個(gè)
-回答星友xuu的提問,關(guān)于SiC功率器件在純電動卡車中的應(yīng)用解析-文字原創(chuàng),素材來源:各廠商,網(wǎng)絡(luò)-本篇為知識星球節(jié)選,完整版報(bào)告與解讀在知識星球發(fā)布...
SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題
在電力電子領(lǐng)域,當(dāng)多個(gè)SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí),受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MO...
ADuM4177具有擺率控制和BIST功能的40 A拉電流和30 A灌電流SiC隔離式柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊
ADuM4177是一款高性能隔離式柵極驅(qū)動器,采用ADI公司的*i*Coupler ^?^ 技術(shù),提供5.7 kV RMS隔離。ADuM4177采用28...
柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用
碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用,其潛力毋庸置疑。然而,從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來看,仍存在一個(gè)難題:即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能...
SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項(xiàng)
通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件,可以獲得更高輸出電流,滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和...
UCC5390-Q1 汽車級 17-A 5kv RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC M...
UCC21739-Q1 汽車級 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)...
UCC23514 5kVrms 4A/5A,單通道光學(xué)兼容隔離柵極驅(qū)動器,帶有鉗位和分割輸出選項(xiàng)數(shù)據(jù)手冊
UCC23514 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有 4.5A 的拉電流和 5.3A ...
UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21550 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動功率 MOSFE...
本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...
SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)
柵極驅(qū)動器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動電壓的影響以及驅(qū)動...
SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
柵極驅(qū)動器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動電...
微管是SiC晶體中極為有害的缺陷,哪怕數(shù)量極少,也會對SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相傳輸法(PVT)生長SiC單晶時(shí),微管極易形成,并且...
SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下,SiC并無熔點(diǎn),一旦溫度攀升至2000℃以上,便會直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預(yù)測,只有在壓強(qiáng)高達(dá)1...
UCC14141-Q1 汽車級 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊
UCC14141-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC14141-Q1 將變...
使用安森美Elite Power仿真工具的125KW儲能系統(tǒng)設(shè)計(jì)
安森美(onsemi)近期推出的開發(fā)工具試用活動已圓滿收官,本次活動吸引了眾多工程師的積極參與,通過實(shí)際應(yīng)用體驗(yàn)安森美先進(jìn)的開發(fā)工具,共同挖掘其在設(shè)計(jì)中...
2025-04-17 標(biāo)簽:安森美SiC儲能系統(tǒng) 387 0
TMS320F280034-Q1 汽車級 C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包括但不...
TMS320F28P550SJ 實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)手冊
TMS320F28P55x (F28P55x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率,包括但不...
F29H850TU C2000? 64 位 MCU,帶 C29x 200MHz 三核技術(shù)手冊
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包括但不限于:...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |