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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

牽引逆變器：汽車創(chuàng)新與性能的相互交融

踩下電動汽車 (EV) 的踏板，即可獲得快速、平穩(wěn)的加速。對此感到非常滿足？當(dāng)然不。您大可不必如此，因為新型電動汽車將擁有更高的性能和更長的續(xù)航里程。...

2023-02-08 標(biāo)簽：電動汽車逆變器電機(jī) 1.1萬 0

SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景

本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。

2018-05-28 標(biāo)簽：sic 半導(dǎo)體器件 1.1萬 1

SiC性能在實際應(yīng)用中已經(jīng)超過GaN

作者：United Silicon Carbide公司新產(chǎn)品導(dǎo)入經(jīng)理Zhongda Li 寬帶隙器件的承諾諸如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶...

2018-02-28 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管 SiC GaN 1.1萬 1

二極管的特性及損耗分析

本文用于記錄二極管特性及損耗分析。

2023-03-08 標(biāo)簽：二極管 SiC 損耗 1.1萬 0

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.1萬 0

化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展

碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷提升,外延膜生長速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在...

2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝功率器件 1.1萬 0

國產(chǎn)高壓SiC MOSFET介紹及競品分析

工業(yè)4.0時代及電動汽車快速的普及，工業(yè)電源、高壓充電器對功率器件開關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高，傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開發(fā)的接近頂峰，S...

2021-09-15 標(biāo)簽：MOSFET SiC 工業(yè)電源 1.1萬 0

MOS管的構(gòu)造,工作原理,特性,電壓極性和符號規(guī)則的詳細(xì)資料概述

隨著社會的進(jìn)步和發(fā)展，MOS管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣泛，薩科微電子SLKOR作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅SiC產(chǎn)品的“碳化硅專家”，必須來科普一下這方面的知識。

2018-07-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管 SiC 1.1萬 0

SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是...

2018-07-15 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 1.1萬 0

碳和硅都這么優(yōu)秀了，可是怎么還出了一個碳化硅（SiC）？

你可能沒見過莫桑石，但你一定聽說過金剛砂，這個類似“金剛石”的名稱已經(jīng)霸氣側(cè)露的表示出了它的硬度。常見的作為磨料、耐火材料的金剛砂分黑色和綠色兩種。但是...

2019-03-28 標(biāo)簽：電阻 SiC 碳化硅 1.1萬 0

陶瓷封裝工藝介紹

陶瓷封裝工藝是指采用陶瓷外殼 (Ceramic Packaging Shell, CPS)或陶瓷基板作為封裝載體，在陶瓷外殼的芯腔或陶瓷基板芯片安裝區(qū)黏...

2023-04-27 標(biāo)簽：cps SiC PGA封裝 1.1萬 0

什么是異構(gòu)集成？什么是異構(gòu)計算？異構(gòu)集成、異構(gòu)計算的關(guān)系？

異構(gòu)集成主要指將多個不同工藝節(jié)點(diǎn)單獨(dú)制造的芯片封裝到一個封裝內(nèi)部，以增強(qiáng)功能性和提高性能。

2023-11-27 標(biāo)簽：SiC 芯片封裝 GaN 1.0萬 0

全面解析快速電動汽車充電技術(shù)

簡短的電動汽車部署展望電動汽車、電動動力總成和車輛電氣化技術(shù)已經(jīng)存在多年。事實上，第一個?電動汽車（EV）?出現(xiàn)在晚19日?世紀(jì)。然而，在近年來一直...

2021-06-22 標(biāo)簽：電動汽車 SiC 1.0萬 0

SiC器件優(yōu)越性、發(fā)展以及在電源系統(tǒng)的應(yīng)用分析

經(jīng)研究者的努力，以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸展示出及其優(yōu)異的性能。SiC功率器件耐高溫、抗輻射，具有較高的擊穿電壓和工作頻率，適于在惡劣條件下工...

2018-01-21 標(biāo)簽：sic sic器件 1.0萬 0

SiC材料做成的器件又會有什么過人之處呢？

圖3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1)的輸出特性對...

2018-06-09 標(biāo)簽：mosfet 功率器件 SiC 9971 0

入了解SiC MOSFET實現(xiàn)建議和解決方案示例

對于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車或家用電器等高功率應(yīng)用，碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢，包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密...

2018-07-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC 開關(guān)損耗 9958 0

如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負(fù)壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法

由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征，以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性，會引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異，解釋這些差異與材料本身特性...

2018-11-08 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 9812 0

英飛凌碳化硅技術(shù)大解析

電力電子未來發(fā)展的趨勢之一是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計,所以如何降低動態(tài)損耗至關(guān)重要。因為SiC材料的本征特性,SiC器件的電容相當(dāng)小。在...

2018-05-02 標(biāo)簽：英飛凌肖特基二極管 SiC 9758 0

如何正確理解功率器件的FoM？

在電源應(yīng)用中，哪怕已經(jīng)確定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、頻率和負(fù)載范圍等需求，工程師短時間內(nèi)也很難判斷哪一種開關(guān)技術(shù)最好……“品質(zhì)因數(shù)”（Figure of Merit, ...

2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFET FOM 功率器件 9756 0

溝槽就是戰(zhàn)壕：英飛凌碳化硅CoolSiC?

戰(zhàn)爭在戰(zhàn)壕中決出勝負(fù)，而溝槽就是我們的前線戰(zhàn)壕。也就是說，前線奮戰(zhàn)人員憑借他們的集體合作和努力決定最終的勝利。作為電源管理應(yīng)用的設(shè)計工程師，本文的讀者就...

2023-03-13 標(biāo)簽：英飛凌二極管 MOSFET 9683 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
WPC

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手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
電池系統(tǒng)

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+關(guān)注

　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

+關(guān)注

采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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