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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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TMS320F28P559SJ-Q1 實時微控制器技術(shù)手冊
TMS320F28P55x (F28P55x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包...
安森美SiC JFET Cascode開關(guān)特性解析
碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢,特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻(稱為RDS.A)。
創(chuàng)新非對稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護(hù)中的應(yīng)用
保護(hù)半導(dǎo)體設(shè)備和電子設(shè)備是任何穩(wěn)健的電源管理和電路設(shè)計的關(guān)鍵。在本文中,我們將重點介紹非對稱瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管系列,這些二極管非常適合用于硅碳...
安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管)在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢,SiC JFET cascode應(yīng)用指南...
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外,還應(yīng)注意測試波形的準(zhǔn)確性。
芯力特是國內(nèi)首個量產(chǎn)CAN收發(fā)器和CAN FD收發(fā)器的公司,SIT1462Q作為芯力特全新一代收發(fā)器產(chǎn)品搭載了芯力特多年來在CAN收發(fā)器接口產(chǎn)品研發(fā)的經(jīng)...
2025-03-25 標(biāo)簽:接口SiCCAN收發(fā)器 807 0
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能,如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度,逐漸成為高...
隨著汽車電氣化的蓬勃發(fā)展,特別是SiC等器件在能量變換環(huán)節(jié)的大量使用,因高壓、高頻功率變換給車內(nèi)環(huán)境造成了大量雜散磁場干擾,主機廠和Tier 1 提出了...
SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能
使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFE...
UCC38C52 商用 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可在各種應(yīng)用中驅(qū)動 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...
UCC28C56L 工業(yè)級 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可在各種應(yīng)用中驅(qū)動 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...
UCC38C53 商用 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可在各種應(yīng)用中驅(qū)動 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...
UCC28C56H-Q1 汽車類 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可用于驅(qū)動各種應(yīng)用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是...
UCC28C58-Q1 汽車類 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可用于驅(qū)動各種應(yīng)用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是...
UCC38C55 商用 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可在各種應(yīng)用中驅(qū)動 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...
如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
2 kV SiC功率模塊:推動1500 V系統(tǒng)的革命
由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價值方面的顯著提升,具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...
碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的優(yōu)勢
為減緩氣候變化的步伐,人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進(jìn)展,并且交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速。這些新興技術(shù)幾乎都要求使用大功率,對電源的要...
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