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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐...

2025-03-12 標(biāo)簽：芯片 MOSFET IGBT 834 0

SiC MOSFET的短路特性和短路保護(hù)方法

在光伏逆變器、車(chē)載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。

2025-03-12 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 1302 0

SiC模塊解決儲(chǔ)能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點(diǎn)

碳化硅（SiC） MOSFET的雙極性退化（Bipolar Degradation）是其在實(shí)際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問(wèn)題，尤其在儲(chǔ)能變流器（PCS）等高...

2025-03-09 標(biāo)簽：MOSFET SiC 變流器 731 0

SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)和測(cè)試中的最佳實(shí)踐

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來(lái)越重要。在第一篇文章和第二篇文章中我們重點(diǎn)介紹了SiCJFET并聯(lián)...

2025-03-06 標(biāo)簽：并聯(lián)原理圖 JFET 800 0

碳化硅SiC芯片封裝：銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘

隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢(shì)，封裝技術(shù)起著...

2025-03-05 標(biāo)簽：芯片 SiC 碳化硅 1096 0

瑞能半導(dǎo)體最新WeenPACK-B系列SiC功率模塊產(chǎn)品介紹

WeenPACK-B產(chǎn)品系列是一款專(zhuān)為逆變器與變流器設(shè)計(jì)的高效功率模塊，高可靠、靈活集成的電力電子模塊化平臺(tái)，可覆蓋最大功率100kW的應(yīng)用場(chǎng)景。包括工...

2025-03-04 標(biāo)簽：逆變器 SiC 功率模塊 647 0

SiC MOS管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

硅碳化物（SiC）是一種重要的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)因其優(yōu)越的物理和化學(xué)特性而在功率電子器件中受到廣泛關(guān)注。SiCMOS管（Metal-Oxide-Semi...

2025-03-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管 SiC 709 0

基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開(kāi)關(guān)器件綜述

拿到一個(gè)ST的宣傳材料，該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過(guò)渡到全SiC的中間方案，也找了文章了解了一下原理。資料有限，標(biāo)題的問(wèn)題沒(méi)找到答案。有...

2025-03-01 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器功率器件 880 0

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過(guò)了 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開(kāi)關(guān)、...

2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 592 0

SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220I - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向...

2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 470 0

SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開(kāi)關(guān)...

2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 533 0

SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開(kāi)關(guān)、零反...

2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 490 0

安森美SiC cascode JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來(lái)越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode...

2025-02-28 標(biāo)簽：并聯(lián)安森美 JFET 644 0

SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開(kāi)關(guān)、零反...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 475 0

SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 422 0

SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 435 0

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 387 0

安森美SiC Cascode JFET的背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來(lái)越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode...

2025-02-27 標(biāo)簽：安森美 JFET 晶體管 1039 0

SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...

2025-02-26 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 480 0

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...

2025-02-26 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 431 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà)，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線(xiàn)供電

無(wú)線(xiàn)供電

+關(guān)注

無(wú)線(xiàn)供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

快充

+關(guān)注

目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

+關(guān)注

國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

+關(guān)注

Pebble，是一家智能手表廠(chǎng)商。2015年2 月底，智能手表廠(chǎng)商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

WPC

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手機(jī)快充

手機(jī)快充

+關(guān)注

手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
電池系統(tǒng)

電池系統(tǒng)

+關(guān)注

　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

A4WP

+關(guān)注

A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

MAX660

+關(guān)注

MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

+關(guān)注

采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

USB PD

+關(guān)注
太陽(yáng)能充電

太陽(yáng)能充電

+關(guān)注
PSR

PSR

+關(guān)注
浪涌抑制器

浪涌抑制器

+關(guān)注
光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

+關(guān)注

逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線(xiàn)電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

+關(guān)注

Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

USB-PD

+關(guān)注
PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

+關(guān)注

脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

DCDC電源

+關(guān)注

DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

+關(guān)注
董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
LT8705

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電機(jī)控制	DSP	氮化鎵	功率放大器	ChatGPT	自動(dòng)駕駛	TI	瑞薩電子
BLDC	PLC	碳化硅	二極管	OpenAI	元宇宙	安森美	ADI
無(wú)刷電機(jī)	FOC	IGBT	逆變器	文心一言	5G	英飛凌	羅姆
直流電機(jī)	PID	MOSFET	傳感器	人工智能	物聯(lián)網(wǎng)	NXP	賽靈思
步進(jìn)電機(jī)	SPWM	充電樁	IPM	機(jī)器視覺(jué)	無(wú)人機(jī)	三菱電機(jī)	ST
伺服電機(jī)	SVPWM	光伏發(fā)電	UPS	AR	智能電網(wǎng)	國(guó)民技術(shù)	Microchip

瑞薩	沁恒股份	全志	國(guó)民技術(shù)	瑞芯微	兆易創(chuàng)新	芯?？萍?/a>	Altium
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adi	Cypress	Littelfuse	Avago	FTDI	Cirrus LogIC	Intersil	Qualcomm
st	Murata	Panasonic	Altera	Bourns	矽力杰	Samtec	揚(yáng)興科技
microchip	TDK	Rohm	Silicon Labs	圣邦微電子	安費(fèi)諾工業(yè)	ixys	Isocom Compo
安森美	DIODES	Nidec	Intel	EPSON	樂(lè)鑫	Realtek	ERNI電子
TE Connectivity	Toshiba	OMRON	Sensirion	Broadcom	Semtech	旺宏	英飛凌
Nexperia	Lattice	KEMET	順絡(luò)電子	霍尼韋爾	pulse	ISSI	NXP
Xilinx	廣瀨電機(jī)	金升陽(yáng)	君耀電子	聚洵	Liteon	新潔能	Maxim
MPS	億光	Exar	菲尼克斯	CUI	WIZnet	Molex	Yageo
Samsung	風(fēng)華高科	WINBOND	長(zhǎng)晶科技	晶導(dǎo)微電子	上海貝嶺	KOA	Echelon
Coilcraft	LRC	trinamic

放大器	運(yùn)算放大器	差動(dòng)放大器	電流感應(yīng)放大器	比較器	儀表放大器	可變?cè)鲆娣糯笃?	隔離放大器
時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
視頻放大器	功率放大器	頻率轉(zhuǎn)換器	揚(yáng)聲器放大器	音頻轉(zhuǎn)換器	音頻開(kāi)關(guān)	音頻接口	音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器	LDO	開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器	DC/DC	降壓轉(zhuǎn)換器	電源模塊	MOSFET	IGBT
振蕩器	諧振器	濾波器	電容器	電感器	電阻器	二極管	晶體管
變送器	傳感器	解析器	編碼器	陀螺儀	加速計(jì)	溫度傳感器	壓力傳感器
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