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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式,高擊穿電壓將嚴重限制器件的導通電流能力。例如對于10 kV 等級器件來說,室溫下其電流等級約為 20~4...
2023-02-03 標簽:SiCSiC MOSFET 4399 0
綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應用,尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設計轉型。碳化硅(SiC)是引領這一趨勢的核心技術,可提供多種新功能不斷推動各種車...
碳化硅二極管的優(yōu)勢 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性 寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...
碳化硅因其獨特的性能而被譽為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性,以及它在電力電子設備中的應用。
碳化硅(SiC)是一種高性能的半導體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能...
硅早已是大多數(shù)電子應用中的關鍵半導體材料,但與SiC相比,則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應用采納,特別是電動汽車,以應對開發(fā)高效率和高功率器件所...
從6寸把它發(fā)展到8寸,這樣在襯底上做出來的器件,就可以降低單個器件的襯底所占的成本,這是一個國際上發(fā)展的趨勢。
碳化硅(SiC)是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片,這是半導體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
從晶體到系統(tǒng)之路:關于碳化硅的關鍵的襯底和外延epi分析
由于襯底和外延和芯片的技術發(fā)展相關性不是特別大,所以我單獨把這兩個流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術發(fā)展比如MOSFET的平面結構或者溝槽結構都是直...
設計多電飛機(MEA)的飛機制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉換為電動,以減輕重量和設計復雜性。
2023-02-02 標簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 998 0
碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應用展望
碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率等優(yōu)點,可以實現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應用的新型功率半導體器件。該文對碳化硅功率...
2023-01-31 標簽:半導體電力系統(tǒng)功率器件 3316 0
SA111采用碳化硅(SiC)技術和領先的封裝設計,突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
碳化硅(SiC) 是第三代半導體,相較于前兩代半導體(一代硅,二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能,上優(yōu)于硅襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的...
SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結構,帶來了諸多優(yōu)勢:首先,“絕緣埋層”實現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質隔離,減小了寄生電容,開關頻率得以提高。
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導通損耗和開關損耗相關,而SiC逆 變器在這兩點均...
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優(yōu)化和技術創(chuàng)新,包括鍵合...
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