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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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一種新型3.6-kV/400-A SiC IPM可提升電源應(yīng)用的性能
高能效對(duì)于多種大電流電源應(yīng)用至關(guān)重要,包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、可再生能源系統(tǒng)和固態(tài)變壓器。盡管硅長(zhǎng)期以來(lái)一直是這些應(yīng)用中使用的主要半導(dǎo)體,但由于SiC提供的...
幾十年來(lái),硅一直主導(dǎo)著晶體管世界,但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體,并具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如,化合物半...
電動(dòng)汽車(chē)隨著汽車(chē)行業(yè)技術(shù)的進(jìn)步 (HEV),(EV) 和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē) (HEV) 越來(lái)越受歡迎。交通系統(tǒng)的電氣化過(guò)程需要大量電力。雙逆變器技術(shù)已被用...
輔助電源是電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的重要組成部分。高壓直流總線(xiàn)轉(zhuǎn)換為 5 V 至 48 V 直流電源,為控制電路、傳感電路、冷卻風(fēng)...
如何為您的SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器
雖然 SiC 提供了一系列優(yōu)勢(shì),包括更快的開(kāi)關(guān)和更高的效率,但它也帶來(lái)了一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),可以通過(guò)選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)解決。
2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 2380 0
650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場(chǎng)包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告,電動(dòng)汽車(chē)充電市場(chǎng)的增長(zhǎng)將非常強(qiáng)...
關(guān)于SiC MOSFET短路Desat保護(hù)設(shè)計(jì)
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...
我們的目的不是討論控制理論,而是提供第一手詳細(xì)信息,介紹開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)所采取的控制硬件和軟件開(kāi)發(fā)的有益方法,幫助加快固件開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證過(guò)程。這些信息既適用于ARM...
使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿(mǎn)足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義,它們具有更大的帶隙,因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 (SiC)...
使用最新的SiC FET封裝選項(xiàng)提高車(chē)載充電器性能
在電動(dòng)汽車(chē)中,功率轉(zhuǎn)換效率是解決續(xù)航里程和充電時(shí)間問(wèn)題的關(guān)鍵。為了最大限度地提高效率,交流輸出牽引逆變器很少在 10 kHz 以上運(yùn)行,因?yàn)樵谳^高頻率下...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETSiC車(chē)載充電器 1110 0
電源設(shè)計(jì)筆記:適用于高性能應(yīng)用的SiC JFET
本文檢查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——這篇文章純粹是指導(dǎo)性的;此組件不再可用。但是這種簡(jiǎn)單的方法也可以應(yīng)用于其他新組件。在接下...
2022-07-29 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)JFETSiC 2624 0
下一代高壓SiC MOSFET的可靠性和穩(wěn)健性測(cè)試
在當(dāng)今這一代,電力電子設(shè)備幾乎在從交流適配器到傳輸系統(tǒng)的各個(gè)領(lǐng)域都有應(yīng)用。這些器件包含硅 (Si) 作為低壓和高壓器件的主要元素。然而,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的...
本文基于PGC 咨詢(xún)公司進(jìn)行的分析,研究了當(dāng)今的 650-V 和 1,200-V SiC MOSFET,揭示了這些問(wèn)題,包括柵極氧化物可靠性的優(yōu)化,這有...
用于電力電子設(shè)計(jì)的高性能SiC MOSFET技術(shù)
一個(gè)合適的設(shè)備概念應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度,以便適應(yīng)各種任務(wù)配置文件的需求,而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大更改。然而,關(guān)鍵性能指標(biāo)仍將是所選設(shè)備概念的低面積...
在數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施要求以盡可能低的成本提供高效、可靠電力的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)不間斷電源 (UPS) 市場(chǎng)將在未來(lái)幾年顯著增長(zhǎng)。隨著全球經(jīng)濟(jì)朝著更大的數(shù)字化方向...
2022-07-27 標(biāo)簽:UPS數(shù)據(jù)中心SiC 1291 0
電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展,尤其是對(duì)于組件,因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料...
用SiC驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的燈或電機(jī)
改變大功率燈或電機(jī)亮度的最佳技術(shù)之一是脈沖寬度調(diào)制 (PWM)。在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,一段時(shí)間以來(lái),控制單元使用 PWM 命令控制和管理各種執(zhí)行器。例如,柴...
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