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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

一種新型3.6-kV/400-A SiC IPM可提升電源應(yīng)用的性能

一種新型3.6-kV/400-A SiC IPM可提升電源應(yīng)用的性能

高能效對(duì)于多種大電流電源應(yīng)用至關(guān)重要,包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、可再生能源系統(tǒng)和固態(tài)變壓器。盡管硅長(zhǎng)期以來(lái)一直是這些應(yīng)用中使用的主要半導(dǎo)體,但由于SiC提供的...

2022-08-03 標(biāo)簽:電源MOSFETSiC 1168 0

GaN和SiC晶體管的區(qū)別

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幾十年來(lái),硅一直主導(dǎo)著晶體管世界,但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體,并具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如,化合物半...

2022-08-03 標(biāo)簽:晶體管SiCGaN 2034 0

基于SiC的優(yōu)化2x250kW雙逆變器

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電動(dòng)汽車(chē)隨著汽車(chē)行業(yè)技術(shù)的進(jìn)步 (HEV),(EV) 和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē) (HEV) 越來(lái)越受歡迎。交通系統(tǒng)的電氣化過(guò)程需要大量電力。雙逆變器技術(shù)已被用...

2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFETSiC雙逆變器 1844 0

60W輔助電源1700V SiC MOSFET

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輔助電源是電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的重要組成部分。高壓直流總線(xiàn)轉(zhuǎn)換為 5 V 至 48 V 直流電源,為控制電路、傳感電路、冷卻風(fēng)...

2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFETSiC輔助電源 1870 0

如何為您的SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器

如何為您的SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器

雖然 SiC 提供了一系列優(yōu)勢(shì),包括更快的開(kāi)關(guān)和更高的效率,但它也帶來(lái)了一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),可以通過(guò)選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)解決。

2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 2380 0

650V混合SiC單管的開(kāi)關(guān)特性

650V混合SiC單管的開(kāi)關(guān)特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)...

2022-08-01 標(biāo)簽:英飛凌二極管SiC 931 0

650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比

650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比

650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場(chǎng)包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告,電動(dòng)汽車(chē)充電市場(chǎng)的增長(zhǎng)將非常強(qiáng)...

2022-08-02 標(biāo)簽:MOSFETSiC羅姆 1262 0

關(guān)于SiC MOSFET短路Desat保護(hù)設(shè)計(jì)

富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...

2022-07-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 4155 0

25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南

25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南

我們的目的不是討論控制理論,而是提供第一手詳細(xì)信息,介紹開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)所采取的控制硬件和軟件開(kāi)發(fā)的有益方法,幫助加快固件開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證過(guò)程。這些信息既適用于ARM...

2022-07-30 標(biāo)簽:PFCSiC快充 1019 0

SiC半導(dǎo)體的熱穩(wěn)定性

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在這項(xiàng)研究中,我們將解釋在一定溫度范圍內(nèi)對(duì)碳化硅樣品進(jìn)行的本征電導(dǎo)率測(cè)量

2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC 1828 0

分析用于電力電子的寬帶隙半導(dǎo)體

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使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿(mǎn)足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義,它們具有更大的帶隙,因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 (SiC)...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 2179 0

使用最新的SiC FET封裝選項(xiàng)提高車(chē)載充電器性能

使用最新的SiC FET封裝選項(xiàng)提高車(chē)載充電器性能

在電動(dòng)汽車(chē)中,功率轉(zhuǎn)換效率是解決續(xù)航里程和充電時(shí)間問(wèn)題的關(guān)鍵。為了最大限度地提高效率,交流輸出牽引逆變器很少在 10 kHz 以上運(yùn)行,因?yàn)樵谳^高頻率下...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETSiC車(chē)載充電器 1110 0

電源設(shè)計(jì)筆記:適用于高性能應(yīng)用的SiC JFET

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本文檢查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——這篇文章純粹是指導(dǎo)性的;此組件不再可用。但是這種簡(jiǎn)單的方法也可以應(yīng)用于其他新組件。在接下...

2022-07-29 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)JFETSiC 2624 0

下一代高壓SiC MOSFET的可靠性和穩(wěn)健性測(cè)試

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在當(dāng)今這一代,電力電子設(shè)備幾乎在從交流適配器到傳輸系統(tǒng)的各個(gè)領(lǐng)域都有應(yīng)用。這些器件包含硅 (Si) 作為低壓和高壓器件的主要元素。然而,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 2769 0

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本文基于PGC 咨詢(xún)公司進(jìn)行的分析,研究了當(dāng)今的 650-V 和 1,200-V SiC MOSFET,揭示了這些問(wèn)題,包括柵極氧化物可靠性的優(yōu)化,這有...

2022-07-29 標(biāo)簽:電阻MOSFETSiC 2023 0

GaN和SiC功率器件的最佳用例

GaN和SiC功率器件的最佳用例

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下...

2022-07-29 標(biāo)簽:充電器功率器件SiC 1546 0

用于電力電子設(shè)計(jì)的高性能SiC MOSFET技術(shù)

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一個(gè)合適的設(shè)備概念應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度,以便適應(yīng)各種任務(wù)配置文件的需求,而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大更改。然而,關(guān)鍵性能指標(biāo)仍將是所選設(shè)備概念的低面積...

2022-07-28 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1979 0

數(shù)據(jù)中心UPS要求SiC技術(shù)

數(shù)據(jù)中心UPS要求SiC技術(shù)

在數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施要求以盡可能低的成本提供高效、可靠電力的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)不間斷電源 (UPS) 市場(chǎng)將在未來(lái)幾年顯著增長(zhǎng)。隨著全球經(jīng)濟(jì)朝著更大的數(shù)字化方向...

2022-07-27 標(biāo)簽:UPS數(shù)據(jù)中心SiC 1291 0

具有SiC和GaN的高功率

具有SiC和GaN的高功率

電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展,尤其是對(duì)于組件,因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料...

2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFETSiCGaN 1217 0

用SiC驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的燈或電機(jī)

用SiC驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的燈或電機(jī)

改變大功率燈或電機(jī)亮度的最佳技術(shù)之一是脈沖寬度調(diào)制 (PWM)。在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,一段時(shí)間以來(lái),控制單元使用 PWM 命令控制和管理各種執(zhí)行器。例如,柴...

2022-07-27 標(biāo)簽:微控制器MOSFETPWM 2370 0

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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà),主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    系統(tǒng)電源
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  • 董明珠
    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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