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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求
本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu),以及設(shè)計人員在選擇拓撲結(jié)構(gòu)及其相關(guān)組件之前必須考慮的因素。在此過程中,它介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的...
Power Box Board幫助學(xué)生更好地了解Si和SiC技術(shù)
我們知道,技術(shù)教育不僅需要理論知識,還需要實踐知識和實踐經(jīng)驗,讓學(xué)生在電路層面理解更深層次的概念。2實驗室實際上可以幫助學(xué)生理解電路設(shè)計概念等主題。Po...
2022-07-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器PowerSiC 852 0
工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通?;趶姶蟮碾妱訖C,用于連續(xù)運行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動器、壓縮機、縫紉機和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動機,由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..
電子產(chǎn)品節(jié)能的呼吁可能很難與電子產(chǎn)品節(jié)能的呼聲聯(lián)系起來,因為這意味著您的電費只需減少幾美分或?qū)p少全球 CO 2排放量的貢獻很小,但是當(dāng)電動汽車的效率更...
SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率
初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備...
高性能SiC JFET SJEP120R100A的操作和性能
本文分析了 JFET SJEP120R100A 的操作和性能。這種 SiC JFET 適用于任何需要高功率和快速開關(guān)速度的應(yīng)用。然而,它特別適合用于音頻...
安森美VE-Trac SiC用于主驅(qū)逆變器的優(yōu)勢
雙碳目標(biāo)正加速推進汽車向電動化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動車,新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢將改變電動車的未來,如在關(guān)鍵...
電動汽車因其在質(zhì)量、功能簡單性以及最重要的能源效率方面的環(huán)保特性而變得越來越流行。功能推力由電動機驅(qū)動,與內(nèi)燃機相比,電動機的結(jié)構(gòu)簡單。在能源效率方面,...
2022-07-21 標(biāo)簽:電動汽車電力系統(tǒng)SiC 648 0
車載充電機OBC的技術(shù)方向與碳化硅應(yīng)用方案
車載充電機(On-Board Charger,簡稱為OBC)的基本功能是:電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口,連接至車載充電機,給車載動力電池進行慢...
隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展,市場對不間斷電源(UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展,設(shè)計人員面臨...
SiC設(shè)計分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進行比較
本文作為系列文章的第三篇,會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計算過程,供設(shè)計工程師在選擇功率開關(guān)器件時參考!
寬帶隙半導(dǎo)體GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)腐蝕
寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,這些特性使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕,即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HN...
安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設(shè)計挑戰(zhàn)
隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展,市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展,設(shè)計人員面...
在IGBT時代,門極電壓的選擇比較統(tǒng)一,無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域,還未...
2022-06-06 標(biāo)簽:電壓SiC開關(guān)頻率 3543 0
25 kW SiC直流快充設(shè)計指南:DC-DC級的設(shè)計考慮因素和仿真
作者:安森美(onsemi)Karol Rendek, Stefan Kosterec ? 在“開發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁” [1-3] ...
本文探討了 SiC 共源共柵在困難條件下(包括雪崩模式和發(fā)散振蕩)的性能,并研究了它們在利用零電壓開關(guān)的電路中的性能。
2022-05-07 標(biāo)簽:SiC電壓開關(guān)共源共柵 3245 0
智能混合信號無橋圖騰柱PFC控制器解決AC-DC電源能效挑戰(zhàn)
評估板在265 VAC、395 VDC下提供300瓦。快速支路開關(guān)采用GaN HEMT,交流電同步整流器采用Si-MOSFET,在整個電源電壓范圍內(nèi)...
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