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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

盡管電動(dòng)汽車歷史不遜于內(nèi)燃機(jī)車，但它實(shí)實(shí)在在地被全世界主要國家推廣，發(fā)生在最近十年。相比于已在市場中接受了數(shù)十上百年考驗(yàn)的內(nèi)燃機(jī)車，電動(dòng)汽車存在許多的不...

2022-04-25 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 2760 0

功率器件SiC和GaN的電壓變化率與電流變化率

我們都知道功率半導(dǎo)體器件屬于電力電子開關(guān)，開關(guān)速度非?？?，1秒可以開關(guān)上千次(kHz)，高速功率器件可達(dá)到幾十kHz，甚至上百kHz。開關(guān)速度越快意味著...

2022-04-22 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 4439 0

詳解硅片的研磨、拋光和清洗技術(shù)

在半導(dǎo)體和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度變薄，以及拋光以使表面成為鏡面。在半導(dǎo)體器件的制造中，半導(dǎo)體制造工藝包括:（1）從晶體生長開始切割和拋光...

2022-04-20 標(biāo)簽：SiC 硅片清洗 1.6萬 0

單晶SiC晶圓加工過程中的低溫濕法蝕刻

硅片在大口徑化的同時(shí)，要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格，因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā)，實(shí)現(xiàn)了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC...

2022-04-15 標(biāo)簽：晶圓 SiC 刻蝕 2110 0

外延層的摻雜濃度對SiC功率器件的重要性

控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻，阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。

2022-04-11 標(biāo)簽：工藝功率器件 SiC 8767 0

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用...

2022-03-29 標(biāo)簽：SiC 碳化硅刻蝕 1997 0

IGBT和SiC電源開關(guān)知識(shí)科普

IGBT 和 SiC 電源開關(guān)有哪些市場和應(yīng)用? 高效的電源轉(zhuǎn)換在很大程度上取決于系統(tǒng)中使用的功率半導(dǎo)體器件。由于功率器件技術(shù)不斷改進(jìn)，大功率應(yīng) 用的...

2022-03-18 標(biāo)簽：IGBT 電源開關(guān)SiC 8400 0

PI推出集成SiC MOSFET的車規(guī)級反激式開關(guān)IC

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)這幾年電動(dòng)汽車發(fā)展異?；馃?，銷量是節(jié)節(jié)攀升，其續(xù)航能力也在不斷取得突破。但里程焦慮還沒有徹底解決，為了應(yīng)對該問題，汽車廠商...

2022-02-22 標(biāo)簽：MOSFET IC SiC 2048 0

高可靠性SiC MOSFET芯片優(yōu)化設(shè)計(jì)

以特斯拉Model 3為代表的眾多電動(dòng)汽車量產(chǎn)車型成功應(yīng)用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產(chǎn)業(yè)界的認(rèn)...

2022-02-18 標(biāo)簽：芯片 MOSFET SiC 5063 0

碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

引言人們對用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例...

2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2377 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

2021-11-17 標(biāo)簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 5047 0

首款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎(jiǎng)“，可提升電源效率4%！

工業(yè)三相供電（400 VAC to 690VAC）的功率變換系統(tǒng)，其母線電壓通常高于600V，母線電壓范圍在300Vdc-1000Vdc。

2021-10-11 標(biāo)簽：MOSFET 電源設(shè)計(jì)SiC 2154 0

國產(chǎn)高壓SiC MOSFET介紹及競品分析

工業(yè)4.0時(shí)代及電動(dòng)汽車快速的普及，工業(yè)電源、高壓充電器對功率器件開關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高，傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開發(fā)的接近頂峰，S...

2021-09-15 標(biāo)簽：MOSFET SiC 工業(yè)電源 1.1萬 0

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

SiC MOSFET并聯(lián)的動(dòng)態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關(guān)速度更快，對一些并聯(lián)參數(shù)會(huì)更為敏感。

2021-09-06 標(biāo)簽：英飛凌 pcb MOSFET 4664 0

仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)...

2021-08-31 標(biāo)簽：IGBT SiC 英飛凌科技 2322 0

確保SiC驗(yàn)證測試準(zhǔn)確度，有效測量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號(hào)

在功率電子系統(tǒng)中，差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測量方法。差分探頭是一種流行的選擇，因?yàn)樗梢院翢o問題地添加到電路的任意節(jié)點(diǎn)中。

2021-07-13 標(biāo)簽：電子系統(tǒng)SiC 碳化硅 2447 0

碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產(chǎn)品。雖然有各種重要的機(jī)會(huì)使用這項(xiàng)技術(shù)，但工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)正獲得最大的興趣和關(guān)注。

2021-07-04 標(biāo)簽：SiC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器碳化硅 2545 0

淺談柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌

MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增，它的工作速度...

2021-06-12 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率元器件 3197 0

追求盡善盡美–電動(dòng)車中的SiC半導(dǎo)體

本文探討了SiC FET共源共柵結(jié)構(gòu)是如何提供最佳性能和一系列其他好處的。

2021-05-12 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電動(dòng)車 SiC 1206 0

領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)

基于硅IGBT的傳統(tǒng)逆變器和轉(zhuǎn)換器占據(jù)市場主體（占比超過70%），這主要?dú)w功于工廠生產(chǎn)線中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用和第一代風(fēng)力和太陽能逆變器。

2021-04-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器功率轉(zhuǎn)換器 1114 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

+關(guān)注

目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

Pebble

+關(guān)注

Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
WPC

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手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

A4WP

+關(guān)注

A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

+關(guān)注

采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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+關(guān)注

逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

USB-PD

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PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

+關(guān)注

脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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