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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不再迷茫
在現(xiàn)實(shí)世界中,沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗,又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換,并支持超快...
2018-10-30 標(biāo)簽:天線DC-DC轉(zhuǎn)換器SiC 6684 0
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...
基于SiC的MOSFET器件在電源與電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的特點(diǎn)分析
商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。
2019-12-03 標(biāo)簽:mosfet電機(jī)驅(qū)動(dòng)sic 5093 0
三菱電機(jī)開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)?,一般的大功率?yīng)用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運(yùn)行,需要考慮模塊自...
由開關(guān)器件的材料變革帶來的高壓電氣部件的能力提升
EQC的銅排設(shè)計(jì)看上去很不合理,不過需要考慮從兩個(gè)分離的負(fù)極單獨(dú)取電,然后匯集到配電盒里面,對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和充電系統(tǒng)的配置有一些想法,這項(xiàng)工作的復(fù)雜度就比較...
2018-09-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器SiC 3929 0
推出電動(dòng)汽車(EV)的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標(biāo)題的吸睛點(diǎn)和不同點(diǎn)在于電動(dòng)汽車遠(yuǎn)程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍:目前,在所有駕駛...
2018-08-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車充電技術(shù)SiC 6229 0
SiC功率器件是怎樣進(jìn)行封裝的?有什么要點(diǎn)?
使用三種無鉛焊料系統(tǒng):Sn96.5-Ag3.5、Ag74.2-In25.8和Au76-In24幾乎實(shí)現(xiàn)了無孔隙焊點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)看到,焊點(diǎn)厚度在熱退火之前和之后...
基于SiC材料的MOSFET的性能及SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求
如何驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性
SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求及應(yīng)用
如何驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性
氮化鎵提供更低的開關(guān)損耗、更快的開關(guān)速度、更高的功率密度、更好的熱預(yù)算、從而提高電動(dòng)汽車的功率輸出和能效,且降低了重量和成本。
2018-07-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車igbtSiC 5197 0
MOS管的構(gòu)造,工作原理,特性,電壓極性和符號(hào)規(guī)則的詳細(xì)資料概述
隨著社會(huì)的進(jìn)步和發(fā)展,MOS管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣泛,薩科微電子SLKOR作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅SiC產(chǎn)品的“碳化硅專家”,必須來科普一下這方面的知識(shí)。
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...
入了解SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)建議和解決方案示例
對(duì)于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車或家用電器等高功率應(yīng)用,碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢,包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密...
2018-07-04 標(biāo)簽:MOSFETSiC開關(guān)損耗 9953 0
通過RECOM的DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)的SiC技術(shù)
在許多人的頭腦中,電力電子與可再生能源及電動(dòng)力緊密關(guān)聯(lián) 換言之:數(shù)百伏的電壓以及中等到高功率范圍的功率輸出。樂高 盒式模塊化電源(即 DC/DC 轉(zhuǎn)換器...
2018-06-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiCDC/DC轉(zhuǎn)換器 6250 0
億緯鋰能采取多元化品類并存路線,包括鋰原電池、復(fù)合電源、消費(fèi)類鋰離子電池及動(dòng)力/儲(chǔ)能電源系統(tǒng)等。在動(dòng)力方面的主要產(chǎn)品類型包括:圓柱三元(18650/21...
2018-06-22 標(biāo)簽:SiC 2.0萬 0
SiC/GaN功率開關(guān)完整的系統(tǒng)解決方案
驅(qū)動(dòng) SiC/GaN 功率開關(guān)需要設(shè)計(jì)一個(gè)完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),這些 IC 經(jīng)過精密調(diào)整,彼此配合。于是這里的設(shè)計(jì)重點(diǎn)不再只是以開關(guān)為中心……
2018-06-22 標(biāo)簽:功率開關(guān)SiCGaN 5679 0
在PWM逆變器驅(qū)動(dòng)時(shí)的損耗仿真中,與同等額定電流的IGBT模塊相比,相同開關(guān)頻率的損耗在5kHz時(shí)減少30%、20kHz時(shí)減少55%,總體損耗顯著降低。...
為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片,需要考慮幾個(gè)方面?
SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異,以英飛凌CoolSiC? 系列為例,全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。...
2018-06-15 標(biāo)簽:MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)芯片 2.6萬 0
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