控制、驅(qū)動、檢測高密度SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換

了解關(guān)鍵的ADI iCoupler?數(shù)字隔離、控制、傳感和通信技術(shù)如何直接通過部署SiC和GaN功率轉(zhuǎn)換及日益復(fù)雜的多級控制拓?fù)鋪斫鉀Q面臨的挑戰(zhàn)。

2018-06-05 標(biāo)簽：adi通信技術(shù)控制 5361 0

何謂全SiC功率模塊?

羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模...

2018-05-17 標(biāo)簽：SiC功率模塊 1.4萬 0

SiC材料在牽引系統(tǒng)中的應(yīng)用

SiC作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，與Si相比具有擊穿場強(qiáng)高、導(dǎo)熱系數(shù)高、載流能力大、開關(guān)速度快、可高溫工作等優(yōu)點，適用于高壓、高溫、高頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。

2018-05-17 標(biāo)簽：IGBTSiC 5364 0

英飛凌碳化硅技術(shù)大解析

電力電子未來發(fā)展的趨勢之一是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計,所以如何降低動態(tài)損耗至關(guān)重要。因為SiC材料的本征特性,SiC器件的電容相當(dāng)小。在...

2018-05-02 標(biāo)簽：英飛凌肖特基二極管SiC 9753 0

三菱電機(jī)成功開發(fā)6.5kV全SiC功率模塊 實現(xiàn)世界最高功率密度額定輸出功率

1月31日，三菱電機(jī)株式會社宣布已成功開發(fā)出6.5kV耐壓等級全SiC功率半導(dǎo)體模塊，該模塊采用單芯片構(gòu)造和新封裝，實現(xiàn)了世界最高功率密度的額定輸出功率。

2018-02-03 標(biāo)簽：三菱電機(jī)sic功率模塊 9576 0

SiC使通訊電源PFC設(shè)計更高效、更簡單

通訊電源是服務(wù)器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運(yùn)行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵...

2016-05-25 標(biāo)簽：PFCSiC通訊電源 3117 0

功率半導(dǎo)體的革命：SiC與GaN的共舞

功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二...

2013-03-07 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 5027 0

國產(chǎn)功率半導(dǎo)體芯片亟待突破

功率半導(dǎo)體在產(chǎn)品節(jié)能中發(fā)揮著巨大的作用。在可預(yù)見的將來，無論是水電、核電、火電還是風(fēng)電，甚至各種電池提供的化學(xué)電能，將是人類消耗的最重要能源。但是75%...

2012-07-23 標(biāo)簽：Sic功率半導(dǎo)體IGBT技術(shù) 1892 0