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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件，這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了...
2025-01-22 標(biāo)簽：IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2368 0
三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時(shí)器件內(nèi)部...
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件...
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。...
碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至...
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是...
在全球氣候變化日益嚴(yán)峻的背景下，節(jié)能減排已成為國際社會(huì)共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺(tái)政策，推動(dòng)能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和低碳經(jīng)濟(jì)發(fā)展，旨在實(shí)現(xiàn)《巴黎協(xié)定》設(shè)定...
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測試方案
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...
隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應(yīng)用對(duì)功率密度的需求日益提高，系統(tǒng)的工作溫度也隨之增...
在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？5步法應(yīng)對(duì)碳化硅特定挑戰(zhàn)，mark~，我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)、碳化硅制造...
在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢。
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，氮化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能而受到廣泛關(guān)注。SiCMOSFET以其高效率、高溫耐受性...
安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性
硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領(lǐng)域，設(shè)計(jì)人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。 本文為白皮...
溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性，在新能源、智能電網(wǎng)以及電動(dòng)汽車等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)...
碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討...
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵以及電動(dòng)汽車（EV）等。然而，市場對(duì)更小型化產(chǎn)...
2025-01-02 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET安森美 1181 0
季豐電子材料分析實(shí)驗(yàn)室配備賽默飛Talos F200i，設(shè)備選配有Epsilon應(yīng)力分析系統(tǒng)，配合精準(zhǔn)的TEM樣品制備技術(shù)、納米電子衍射收集參數(shù)優(yōu)化和數(shù)...
碳化硅（SiC），又稱碳硅石，是當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種。它以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)了不可替代的...
下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢——環(huán)氧灌封技術(shù)
今天講解的是下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢——環(huán)氧灌封技術(shù)給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 之前梵易R(shí)yan對(duì)模塊分層的現(xiàn)象進(jìn)行了三期的分享，有興趣的朋...
安森美SiC MOSFET在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用
如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。
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