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芯干線精心研發(fā)了一款600W/1KW雙向逆變儲能電源模塊,這款產(chǎn)品將前沿軟開關(guān)功率變換拓?fù)渑cDSP全數(shù)字控制技術(shù)巧妙融合,實(shí)現(xiàn)了高達(dá)93.5%的雙向轉(zhuǎn)換效率,在能源利用上盡顯卓越。...
工作原理聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)是一種集多種先進(jìn)技術(shù)于一體的微觀分析儀器,其工作原理基于離子束與電子束的協(xié)同作用。1.離子束原理離子束部分的核心是液態(tài)金屬離子源,通常使用鎵離子。在強(qiáng)電場的作用下,鎵離子被拉出并加速,形成高能量密度的離子束流。當(dāng)這些離子束轟擊樣品表面時(shí),會與樣品原子相互作...
案例分析(一)有的芯片是正電極更熱,有的芯片是負(fù)電極更熱!以下為兩個(gè)廠家22mil*35mil尺寸大小芯片光熱分布的對比。對于該尺寸大功率正裝芯片,電流在芯片中橫向擴(kuò)展的路徑較長,導(dǎo)致電流聚集效應(yīng)更加明顯,因此必須具備合理的電極圖形設(shè)計(jì)以及較好的歐姆接觸特性,才能使注入電流在LED芯片的有源層中均勻...
Texas Instruments TUSB1021Q1-EVM評估模塊 (EVM) 設(shè)計(jì)用于評估TUSB1021-Q1。TUSB1021-Q1線性重載交換機(jī)支持高達(dá)10Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。該設(shè)備采用第五代USB重驅(qū)動技術(shù)。Texas Instruments TUSB1021Q1-EVM可與主機(jī)...
Texas Instruments TAx5x42EVM-K評估模塊(EVM)可幫助用戶測試各種TI音頻編解碼器、ADC和DAC的能力。TAC5242是一款雙通道硬件控制高性能編解碼器。TAC5142是一款雙通道硬件控制編解碼器。TAD5242是一款雙通道硬件控制高性能ADC。TAA5242是一款雙...
Texas Instruments TPS65224Q1EVM PMIC評估模塊(evm)可以測試、演示、調(diào)試和配置TPS6522x電源管理IC,用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。板上安裝的器件是TPS6522430-Q1,其具有用于降壓轉(zhuǎn)換器的2+1+1相位配置,具有一個(gè)10A輸出和兩個(gè)2A輸出。Texas I...
通常來講,充電器輸出功率的增加,充電器的體積也要相應(yīng)擴(kuò)大。因?yàn)閮?nèi)置GaN芯片的使用,快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點(diǎn),所以快充充電器比我們設(shè)想的要小、要薄。今天推薦的是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)氮化鎵快充ic U8733L,特別適應(yīng)于快速充電器和適配器上!...
RA2T1是RA2系列中的第一款電機(jī)控制MCU,支持針對低端MCU市場的低BOM成本和簡單單芯片設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化的外圍設(shè)備。RA2T1支持高達(dá)64KB的代碼閃存、8KB的SRAM存儲器和1.6V至5.5V的寬工作電壓范圍以及-40℃至125℃的寬溫度范圍。...
Texas Instruments TMP75B/TMP75B-Q1數(shù)字溫度傳感器有一個(gè)可在1.8V電源下工作的12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC),并且與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TMP75和LM75在引腳和寄存器上兼容。該器件提供有VSSOP-8和SOIC-8封裝;檢測溫度無需外部元件。TMP75B/TMP75B-Q1能...
Texas Instruments LMG2640EVM-090子卡評估模塊 (EVM) 設(shè)計(jì)用于提供一個(gè)快速簡便的評估平臺,用來評估任何半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中TI的集成氮化鎵器件。該板要接到更大的系統(tǒng),通過板底部邊緣的六個(gè)電源引腳和十個(gè)數(shù)字引腳連接。電源引腳形成由高壓直流母線、開關(guān)節(jié)點(diǎn)和電源接地組成的主開...
LM22673 開關(guān)穩(wěn)壓器提供實(shí)現(xiàn) 高效的高壓降壓 (Buck) 穩(wěn)壓器,使用最少的外部元件。這很簡單 使用穩(wěn)壓器包含一個(gè) 42 V N 溝道 MOSFET 開關(guān),能夠提供高達(dá) 3 A 的負(fù)載 當(dāng)前。出色的線路和負(fù)載調(diào)節(jié)以及高效率 (> 90%)。 電壓模式控制提供較短的最小導(dǎo)通時(shí)間,允許 i...
晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟,分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹:一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移:將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面,形成所需的電路或結(jié)構(gòu)(如金屬線、介質(zhì)層、硅槽等)。材料去除:通過化學(xué)或物理方法選擇性去除暴露的薄膜或襯...
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能的不同,碳化硅襯底可分為兩類:一類是具有高電阻率(電阻率≥10^5Ω·cm)的半絕緣型碳化硅襯底,另一類是低電阻率...
在產(chǎn)品的全生命周期中,潛在故障如同隱藏的 “定時(shí)炸彈”,隨時(shí)可能在運(yùn)輸、使用等環(huán)節(jié)因跌落沖擊而引爆。傳統(tǒng)跌落測試僅能判斷產(chǎn)品當(dāng)下是否完好,卻無法洞察深層隱患。而慧通測控定向跌落試驗(yàn)機(jī),通過沖擊數(shù)據(jù)精準(zhǔn)預(yù)判產(chǎn)品潛在故障,為企業(yè)在產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、售后等各個(gè)環(huán)節(jié)提供有力支持,為企業(yè)提供從源頭規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)的有力...
Texas Instruments LMH6518EVM評估模塊(EVM)旨在幫助對Texas Instrument高速LMH6518差分放大器進(jìn)行特性分析。易于使用的評估板旨在提供快速設(shè)置和高性能信號分析。Texas Instruments LMH6518EVM可隨時(shí)通過板載連接器與電源、信號源和...
晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,旨在去除蝕刻殘留物(如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等),同時(shí)避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理:一、濕法清洗1.溶劑清洗目的:去除光刻膠、有機(jī)殘留物和部分蝕刻產(chǎn)物。常用溶劑:丙酮(Acetone):溶解正性光刻膠。醋酸乙酯(EthylAc...
Texas Instruments TPSM83102EVM-125評估模塊 (EVM) 設(shè)計(jì)用于幫助用戶輕松評估和測試TPSM83102降壓-升壓轉(zhuǎn)換器系列的運(yùn)行和功能。評估模塊的輸出電壓被設(shè)置成3.3V,但可通過I^2^C接口在1V至5.5V之間編程。Texas Instruments TPSM...
LM22676 開關(guān)穩(wěn)壓器提供實(shí)現(xiàn) 高效的高壓降壓 (Buck) 穩(wěn)壓器,使用最少的外部元件。這很簡單 使用穩(wěn)壓器包含一個(gè) 42 V N 溝道 MOSFET 開關(guān),能夠提供高達(dá) 3 A 的負(fù)載 當(dāng)前。出色的線路和負(fù)載調(diào)節(jié)以及高效率 (> 90%)。 電壓模式控制提供較短的最小導(dǎo)通時(shí)間,允許 i...
Texas Instruments TPS61287EVM-042評估模塊(EVM)有助于評估TPS61287在不同輸入電壓、輸出電壓和負(fù)載條件下的行為和性能。該評估模塊專為3.3V至4.2V輸入電壓和18V輸出電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Texas Instruments TPS61287EVM-042具有用...
Texas Instruments TAx5x12EVM-K評估模塊 (EVM) 使用戶能夠測試各種TI的音頻CODEC、ADC和DAC的功能。TAC5212是一款低功耗立體聲音頻編解碼器,帶118dB動態(tài)范圍ADC和119dB動態(tài)范圍DAC。TAC5112是一款低功耗立體聲音頻編解碼器,帶100d...