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  • flash存儲器的特點

    FLASH存儲器又稱閃存,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不...

    16658次閱讀 · 0評論 flash存儲器
  • flash存儲器的類型

    FLASH存儲器(也就是閃存)就 是非易失隨機訪問存儲器(NVRAM),特點是斷電后數據不消失,因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內存是揮發(fā)性存儲器,分為DRAM和SRAM兩大類,其中常說的內存主要指DRAM,也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。閃存也有不同類型,其中主要分為NO...

    9004次閱讀 · 0評論 flash存儲器
  • flash存儲器的作用_flash存儲器有什么用

    FLASH存儲器又稱閃存 ,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而...

    23463次閱讀 · 0評論 flash存儲器
  • 淺談不同場景下SQPI PSRAM新型存儲器如何提升STM32性能

    IPUS公司的SQPI PSRAM (Pseudo SRAM)。它采用DRAM 1T1C的架構做memory cell,相比SRAM,單位面積的硅片可以實現更高的存儲容量,內置刷新控制電路使得芯片的接口、協(xié)議等同于普通的SPI SRAM,其接口類似于SPI NOR Flash,MCU可以通過SPI或...

    3107次閱讀 · 0評論 存儲器stm32sqpi psram
  • 帶你了解8大全閃存存儲供應商在行業(yè)上的領先

    對全閃存陣列(AFA)存儲產品的特點和功能的深入理解,可以幫助用戶確定哪些配置可能最符合自己的需求。...

    5993次閱讀 · 0評論 ibm戴爾全閃存陣列
  • 智能購物應用中的存儲器——第二部分

    當今,物聯(lián)網(IoT)已對所有行業(yè)產生了影響,而且有望到2020年成為一個1.7萬億美元的市場。IoT領域建立在云計算以及由移動、虛擬和即時連接搭建的數據采集傳感器網絡的基礎之上。行業(yè)專家認為,它將讓我們生活中的一切變得更加“智能”,從路燈到海港。IoT已經滲透至各行各業(yè):從工廠自動化到點播娛樂和可...

    1018次閱讀 · 0評論 賽普拉斯存儲器物聯(lián)網
  • 基于單機存儲系統(tǒng)故障恢復

    本文中介紹的故障恢復主要是只單機存儲系統(tǒng)中的故障恢復,就是只有一臺電腦,與之相對的是分布式存儲系統(tǒng),暫且不談。...

    1047次閱讀 · 0評論 存儲技術分布式存儲系統(tǒng)
  • Oracle數據庫中的內存計算那點事

    迄今為止,內存還是我們目前能用到的最快的存儲設備,把數據盡可能放進內存成為各種應用提高數據訪問性能的最有效途徑。對于很多關鍵業(yè)務系統(tǒng)而言,內存又是一種“揮發(fā)性”的和大小非常有限的存儲設備,如何在保證性能的同時使數據能持久化,如何把有限的內存投入到無限的待處理數據上是程序設計的一個重大課題。...

    4549次閱讀 · 0評論 數據庫oracle
  • 存儲分布式系統(tǒng)中如何從CAP轉到PACELC

    CAP理論是當前分布式存儲系統(tǒng)設計的理論指導,而PACELC理論是CAP理論的擴展,分布式存儲系統(tǒng)設計的理論依據是時候從CAP理論擴展為PACELC理論。...

    2933次閱讀 · 0評論 存儲技術分布式系統(tǒng)
  • eMMC使命完成,UFS時代來臨,如何快速從eMMC轉移到UFS

    在高速數字接口中,并行總線越來越少。原因很簡單,隨著系統(tǒng)頻率的提升,并行總線在板級建置時已經遭遇到實體瓶頸,抖動、串擾、信號偏移、傳輸路徑不完美等因素,都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時間窗口,從而限制系統(tǒng)帶寬的進一步提升。...

    3376次閱讀 · 0評論 數字接口emmcufs
  • 華為P10內存門仍在發(fā)酵,讓我們詳細解析一下幾種存儲技術的特點

    隨著游戲與視訊應用在行動裝置上的普及,以及手機處理器性能的提升,eMMC的性能已經不能滿足行動裝置對于內存讀寫性能的要求,新一代的通用閃存儲存(UFS)規(guī)格應運而生。...

    3208次閱讀 · 0評論 閃存存儲技術ufs2.1
  • 內存顆粒漲價狂潮,來了解一下MLC NAND閃存下的技術細節(jié)

    2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司(IMFT)在市場上閃亮登場。通過整合Intel公司的NOR多層單元(MLC)閃存技術與美光的DRAM和NAND閃存的制造效率和創(chuàng)新性,并且在兩個母公司強大的IP庫支持下,IMFT在同一年推出的第一個產品就...

    4194次閱讀 · 0評論 閃存NAND閃存
  • 富士通FRAM產品特性介紹(視頻)

    本視頻主要內容:介紹了富士通半導體的FRAM產品特性:低功耗,快速讀寫,高讀寫次數和防輻射特性。...

    1331次閱讀 · 0評論 fram
  • 媒體聚焦 | FRAM應用淺記——只談創(chuàng)新案例

    近年來隨著智能三表、物聯(lián)網、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標簽、汽車后裝設備、以及工業(yè)傳感網絡的快速增長,FRAM存儲器以及FRAM微控制器的應用越來越多。似乎幾年前電子工程專輯的報道還傾向于把FRAM(那時候遇到的縮寫還是以FeRAM居多)作為一種新的存儲方式來報道,而現在,越來越多的應用借FRAM的特性實現...

    1472次閱讀 · 0評論 fram
  • 媒體聚焦 | FRAM——高可靠系統(tǒng)的存儲神器

    歲末年初,由EEVIA主辦的第四屆電子技術媒體論壇在深圳舉辦,ADI、Analogix、Freescale、Fujitsu、集創(chuàng)等多家業(yè)界領先公司的專家發(fā)表了演講,共同探討電子技術、市場發(fā)展最新趨勢。其中開放、靈活、智能這幾個關鍵詞被頻繁提及,2015年半導體行業(yè)將圍繞這幾個關鍵詞展開新一年的精彩旅...

    922次閱讀 · 0評論 fram
  • 【漲姿勢】“鐵”的事實告訴你,工程師不可望文生義

    是時候來科普下威武的鐵電(FRAM)技術了!望文生義對于工程師可不行,例如曾有客戶在設計一級三相智能電表的時候,對是否選擇鐵電存儲器(FRAM)之前,向我們提出了一個問題:“工業(yè)環(huán)境中那么多電磁干擾,甚至磁鐵,它會不會易于被雜散磁場擾亂?”看來“鐵電”這個術語多少起到了一點誤導作用。...

    1054次閱讀 · 0評論 fram
  • 深度解析亮相慕展的六大創(chuàng)新技術

    過完了眼癮,現在來看我們在此次慕尼黑上海電子展上引領未來趨勢的六大創(chuàng)新產品和技術吧!...

    1250次閱讀 · 0評論 fram慕尼黑上海電子展
  • 多圖|FRAM特性那么多,我想去看看!

    FRAM(鐵電隨機存取存儲器)是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存取器)的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。...

    1723次閱讀 · 0評論 fram
  • 帶SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件誕生,它到底有多???

    富士通半導體(上海)有限公司日前宣布,成功推出擁有1 Mb內存的FRAM產品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝(WL-CSP),使得其體積僅為3.09× 2.28 × 0.33 mm,一舉成為業(yè)內擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。...

    3254次閱讀 · 0評論 spifram
  • 20張圖文告訴您什么是智能水/氣表存儲關鍵數據的最佳解決方案

    在今天的舉辦的2015智能水/氣計量及管網執(zhí)行力論壇上,富士通半導體(上海)有限公司市場部高級經理蔡振宇作了“智能水/氣表存儲關鍵數據的最佳解決方案”的主題分享。水/氣表存儲關鍵數據最佳解決方案是什么?與傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢是啥?有哪些應用案例?……帶著這些問題,今天我們將通過20張圖文與大家深度分享。...

    1163次閱讀 · 0評論 fram