功率損耗是開(kāi)關(guān)器件性能評(píng)估的重要環(huán)節(jié)，也是很多示波器付費(fèi)選配的高級(jí)功能。雖然很多實(shí)驗(yàn)室配備了功率損耗測(cè)量環(huán)境，對(duì)設(shè)備和探頭也投入不菲，但如果工程師忽略了探頭之間的時(shí)間偏移，測(cè)試結(jié)果很可能會(huì)隨之失去意義。
2017-12-01 16:00:17
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在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2，742μJ的開(kāi)關(guān)損耗變?yōu)?，690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44949 
MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的開(kāi)關(guān)損耗對(duì)ＭOS 管的選型和熱評(píng)估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開(kāi)關(guān)電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001216 
的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試對(duì)于器件評(píng)估非常關(guān)鍵，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上。電源工程師們都知道開(kāi)關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開(kāi)關(guān)
2024-01-20 17:08:06916 
要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。 01與功率
2020-08-27 08:07:20
要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)。
2021-03-11 06:04:00
開(kāi)關(guān)電源的最大效率驗(yàn)證和檢定
2019-03-11 13:42:40
3、開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)損耗?? 由于開(kāi)關(guān)損耗是由開(kāi)關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開(kāi)關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間，也稱作死區(qū)時(shí)間，在這個(gè)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生
2021-12-29 07:52:21
事先知道損耗發(fā)生場(chǎng)所或部件的話，可有效且迅速地對(duì)應(yīng)。損耗雖然會(huì)在電路內(nèi)功耗的所有部分產(chǎn)生，不過(guò)主要損耗因素為I2R損耗、開(kāi)關(guān)損耗及自我消耗電流損耗、遷移損耗、其他損耗。I2R損耗因內(nèi)置功率晶體管的導(dǎo)通電
2018-11-27 16:46:28
一、開(kāi)關(guān)損耗包括開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開(kāi)通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開(kāi)關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
在BUCK型開(kāi)關(guān)電源中，如果沒(méi)有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開(kāi)關(guān)電源中主要的損耗是導(dǎo)通損耗和交流開(kāi)關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗主要是指MOS管導(dǎo)通后的損耗和肖特基二極管導(dǎo)通的損耗（是指完
2021-10-29 08:08:29
一般情況下使用CAD軟件測(cè)量出來(lái)的CAD圖紙尺寸只能查看，那如果想將測(cè)量的結(jié)果導(dǎo)出Excel表格，該如何操作呢？下面就讓小編以浩辰CAD看圖王電腦版為例來(lái)給大家分享一下將CAD圖紙中測(cè)量結(jié)果導(dǎo)出
2021-04-28 17:23:14
您好，我正在使用網(wǎng)絡(luò)分析儀（PNA-L N5230A 4端口）使用FOM選項(xiàng)80進(jìn)行一些頻率偏移測(cè)量。為了驗(yàn)證測(cè)量校正，我首先測(cè)量混頻器的轉(zhuǎn)換損耗，遵循在線幫助（應(yīng)用 - >頻率偏移
2018-09-26 14:53:36
如圖片所示，為什么MOS管的開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開(kāi)關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
-請(qǐng)問(wèn)各位專家，我是個(gè)電源新手，剛開(kāi)始接觸MOS管?，F(xiàn)在又些問(wèn)題，開(kāi)關(guān)損耗主要是導(dǎo)通和關(guān)斷這兩個(gè)過(guò)程，其它損耗可忽略嗎？
2019-06-27 09:10:01
MOS管的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFCMOS管的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢
2018-11-09 11:43:12
本帖最后由 小小的大太陽(yáng) 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開(kāi)關(guān)損耗好像不僅僅和開(kāi)關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒(méi)有具體計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
的損耗的簡(jiǎn)單測(cè)量方法。 2 IGBT 參數(shù)的定義 廠商所提供的IGBT 開(kāi)關(guān)參數(shù)通常是在純感性負(fù)載下測(cè)量的, 圖1 和圖2 分別是IR 公司和TOSHIBA公司測(cè)量開(kāi)關(guān)時(shí)間的電路和定義開(kāi)關(guān)時(shí)間
2018-10-12 17:07:13
trr快（可高速開(kāi)關(guān)）?trr特性沒(méi)有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開(kāi)關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
;utm_campaign=tekTop 2: 示波器測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗應(yīng)用寶典隨著人們需要改善功率效率，延長(zhǎng)電池供電的設(shè)備的工作時(shí)間，其中一個(gè)關(guān)鍵因素是開(kāi)關(guān)器件的損耗。本應(yīng)用指南將概括介紹這些測(cè)量
2016-03-10 16:38:38
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
的電源產(chǎn)品中，我們需要了解功率器件的動(dòng)態(tài)特性：1、器件在不同溫度的特性2、短路特性和短路關(guān)斷3、柵極驅(qū)動(dòng)特性4、關(guān)斷時(shí)過(guò)電壓特性5、二極管回復(fù)特性6、開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試等那么面對(duì)這些特性我們?nèi)绾芜M(jìn)行有效測(cè)量
2020-02-14 11:16:06
對(duì)于同一個(gè)電源，使用不同的示波器測(cè)量紋波和噪聲值總是有些差異。甚至使用不同的探頭也會(huì)影響測(cè)量結(jié)果。是什么原因呢? 一、紋波和噪聲的區(qū)別 紋波 由于開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)管工作在高頻的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，每一個(gè)開(kāi)關(guān)
2016-09-13 15:48:38
需要測(cè)量電流的主要原因是什么？怎么測(cè)量電流的損耗？
2021-05-11 06:52:08
“迷惑”。 不同的測(cè)試設(shè)備都有典型的應(yīng)用場(chǎng)合和測(cè)量范圍，之所以會(huì)出現(xiàn)測(cè)量結(jié)果不一致的情況，往往和測(cè)試設(shè)備本身的參數(shù)特性有關(guān)系，其中很關(guān)鍵的一個(gè)指標(biāo)就是儀器的帶寬。帶寬不同的儀器，哪怕測(cè)試相同的信號(hào)，測(cè)試
2017-11-20 15:35:42
總共可以降低77%。這是前面提到的第一個(gè)優(yōu)勢(shì)。右圖是以PWM逆變器為例的損耗仿真，是開(kāi)關(guān)頻率為5kHz和30kHz時(shí)開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的總體損耗。在與IGBT模塊的比較中，5kHz條件下總體損耗降低
2018-11-27 16:37:30
一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗呢？一、開(kāi)關(guān)損耗
2021-11-18 07:00:00
“軟開(kāi)關(guān)”是與“硬開(kāi)關(guān)”相對(duì)應(yīng)的。硬開(kāi)關(guān)是指在功率開(kāi)關(guān)的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中，電壓和電流的變化比較大，產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗和噪聲也較大，開(kāi)關(guān)損耗隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高而增加，導(dǎo)致電路效率下降；開(kāi)關(guān)噪聲給電路帶來(lái)嚴(yán)重
2019-08-27 07:00:00
公式計(jì)算：同樣，關(guān)斷損耗的米勒平臺(tái)時(shí)間在關(guān)斷損耗中占主導(dǎo)地位。對(duì)于兩個(gè)不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多時(shí)，A管的開(kāi)關(guān)損耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
的開(kāi)通過(guò)程中，跨越線性區(qū)是產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗的最根本的原因。這表明：米勒平臺(tái)時(shí)間在開(kāi)通損耗中占主導(dǎo)地位，這也是為什么在選擇功率MOSFET的時(shí)候，如果關(guān)注開(kāi)關(guān)損耗，那么就應(yīng)該關(guān)注Crss或QGD，而不僅僅是
2017-02-24 15:05:54
和E5071C矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀；各方法差分插入損耗測(cè)試結(jié)果如表2所示。 4結(jié)語(yǔ) 本文主要介紹了目前業(yè)界使用的幾種PCB傳輸線信號(hào)損耗測(cè)量方法。由于采用的測(cè)試方法不同，測(cè)得插入損耗值也不一樣，測(cè)試結(jié)果不能直接做橫向?qū)Ρ?，因此?yīng)根據(jù)各種技術(shù)方法的優(yōu)勢(shì)和限制，并且結(jié)合自身的需求選擇合適的信號(hào)損耗測(cè)試技術(shù)。
2018-09-17 17:32:53
周期時(shí)間的測(cè)量 開(kāi)關(guān)周期時(shí)間Tperiod(uS) 11.6762 開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗Pswitch(W) 0.327087666 開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通損耗Pon-resistance(W) 0.477385448 開(kāi)關(guān)管的總功耗Ploss(W) 0.804473114
2011-06-10 10:19:20
算法，可根據(jù)負(fù)載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量，與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比，在增加開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)減小了開(kāi)關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開(kāi)關(guān)損耗。
2019-10-18 08:34:17
如何更加深入理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗與對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
算法，可根據(jù)負(fù)載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量，與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比，在增加開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)減小了開(kāi)關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開(kāi)關(guān)損耗。
2019-10-12 07:36:22
電源工程師知道，整個(gè)電源系統(tǒng)中開(kāi)關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同，因?yàn)樗苤庇^，所以有些人對(duì)其計(jì)算仍然有些困惑.今天，我們將詳細(xì)分析
2021-10-29 08:43:49
開(kāi)關(guān)損耗，可以使用高分辨率示波器，一定要校正電壓探頭和電流探頭時(shí)延。使用濾波和平均功能，在設(shè)定的時(shí)間周期內(nèi)獲得準(zhǔn)確的結(jié)果?！ ?. 如果想在示波器上測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗，可以把電壓乘以電流，取啟動(dòng)或關(guān)閉期間
2016-01-12 11:08:55
探頭和電流探頭之間的時(shí)間偏差6消除探頭零偏和噪聲7電源測(cè)量中記錄長(zhǎng)度的作用8識(shí)別真正的Ton 與Toff 轉(zhuǎn)換8有源器件測(cè)量：開(kāi)關(guān)
2008-07-08 17:51:58
電壓轉(zhuǎn)換速率上測(cè)量電流也可以幫助您最大限度地減少串?dāng)_，改善精度。 如需了解開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗測(cè)試要點(diǎn)，請(qǐng)參閱本系列博文中的第6篇博文。 文章來(lái)源：日?qǐng)D科技 微信：Ritu-17微博：日?qǐng)D科技Ritu
2016-08-31 15:36:31
時(shí)MOSFETs、IGBTs和磁性器件的損耗。由于大多數(shù)磁性器件采用定制設(shè)計(jì)，如開(kāi)關(guān)器件，因此最好在工作狀態(tài)下測(cè)試磁性器件。這一步可以正確分析其特性。 在測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗時(shí)，我們推薦使用MS05000B
2016-09-02 14:39:38
損耗通過(guò)等式2表示：在等式3中加上總開(kāi)關(guān)損耗的結(jié)果：注意，在圖1中，t2比第三個(gè)時(shí)段（t3）短得多。因此，在這些等式中，你可以估算在t3時(shí)段中的損耗。在一個(gè)時(shí)段這些有限的過(guò)渡時(shí)間會(huì)出現(xiàn)兩次：MOSFET
2018-08-30 15:47:38
偏振相關(guān)損耗（PDL）的測(cè)量對(duì)測(cè)量系統(tǒng)中的擾動(dòng)極其敏感，這些擾動(dòng)包括光源的不 穩(wěn)定性，連接器的反射，甚至是測(cè)試光纖的布局。如果測(cè)試裝置布置不合理，即使采用高精度的測(cè)量設(shè)備也可能會(huì)出現(xiàn)較大的測(cè)量
2018-02-27 10:17:47
是為密勒電容（CGD）充電。在米勒時(shí)刻期間，漏極電流在IOUT端是恒定的，而VDS從VIN開(kāi)始下降。在這段時(shí)間內(nèi)的功率損耗通過(guò)等式2表示：在等式3中加上總開(kāi)關(guān)損耗的結(jié)果：注意，在圖1中，t2比第三個(gè)時(shí)段
2018-06-05 09:39:43
今天開(kāi)始看電源界神作《開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》（第3版），發(fā)現(xiàn)第9頁(yè)有個(gè)名詞，叫“交流開(kāi)關(guān)損耗”，不明白是什么意思，有沒(méi)有哪位大蝦知道它的意思??？謝謝了??！
2013-05-28 16:29:18
詳細(xì)查考的事項(xiàng)，但如果從柵極驅(qū)動(dòng)電路中消除了LSOURCE的影響，則根據(jù)Figure 4中說(shuō)明的原理，開(kāi)關(guān)速度將變快。關(guān)于關(guān)斷，雖然不像導(dǎo)通那樣區(qū)別顯著，但速度同樣也會(huì)變快。－這就意味著開(kāi)關(guān)損耗得到
2020-07-01 13:52:06
產(chǎn)生效果相反的兩種反饋電壓，分別控制 MOSFET 柵源電壓的上升和下降時(shí)間，因此降低功率回路中的 di/dt。然而，這樣通常會(huì)增加開(kāi)關(guān)損耗，因此并非理想方法 [8]，[9]。功率級(jí)寄生電容公式 1
2020-11-03 07:54:52
圖1：開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
MOS門極功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 根據(jù)開(kāi)關(guān)器件的物理模型,分析了開(kāi)關(guān)器件在Boost 電路中的損耗,并計(jì)算了Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開(kāi)關(guān)損耗,給出了開(kāi)關(guān)器件的功耗分布。最后對(duì)一臺(tái)3kW的Boost 型PFC 整流電源進(jìn)
2009-10-17 11:06:0671 目錄引言 3電源設(shè)計(jì)問(wèn)題指向測(cè)量需求 3開(kāi)關(guān)式電源基礎(chǔ)知識(shí) 3-4有源元件測(cè)量：開(kāi)關(guān)單元 4-11開(kāi)關(guān)式設(shè)備中的功率損耗原理 4關(guān)閉損耗
2010-06-30 09:31:0551 摘要：LVDS解串器的偏移容限用來(lái)表示其抖動(dòng)容限。本應(yīng)用筆記描述了限制偏移容限的條件，并給出了測(cè)量4通道解串器偏移容限的步驟。
介紹TLVDS解串器的偏移
2009-05-02 10:43:19712 
理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 根據(jù)MOSFET的簡(jiǎn)化模型，分析了導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)典型的修正系數(shù)，修正了簡(jiǎn)化模型的極間電容。通過(guò)開(kāi)關(guān)磁鐵電源的實(shí)例計(jì)算了工況下MOSFET的功率損耗，計(jì)算結(jié)果表明該電源中
2011-11-14 16:46:22112 MOSFET才導(dǎo)通，因此同步MOSFET是0電壓導(dǎo)通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個(gè)開(kāi)關(guān)周期是0電壓的開(kāi)關(guān)ZVS，開(kāi)關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計(jì)，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，選取時(shí)只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
探頭偏移，實(shí)現(xiàn)最大精度。為保證新興SMPS 設(shè)計(jì)的可靠性、穩(wěn)定性、性能和一致性，設(shè)計(jì)工程師必須執(zhí)行許多復(fù)雜的電源測(cè)量。帶有DPOxPWR電源分析應(yīng)用模塊明顯簡(jiǎn)化了電源分析工作，自動(dòng)電源測(cè)量，如諧波、電源質(zhì)量、開(kāi)關(guān)損耗、安全工作區(qū)、轉(zhuǎn)換速率、調(diào)制和紋波，保證了快
2015-05-26 14:38:17573 隨著人們需要改善功率效率，延長(zhǎng)電池供電的設(shè)備的工作時(shí)間，分析功率損耗及優(yōu)化電源效率的能力比以前變得更加關(guān)鍵。效率中一個(gè)關(guān)鍵因素是開(kāi)關(guān)器件的損耗。本應(yīng)用指南將概括介紹這些測(cè)量，以及使用示波器和探頭進(jìn)行
2015-10-27 16:31:331288 為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開(kāi)關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過(guò)程的解剖，定位了MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗的來(lái)源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少M(fèi)OSFET的開(kāi)關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平臺(tái)實(shí)現(xiàn)最小開(kāi)關(guān)損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開(kāi)關(guān)損耗SVPWM算法實(shí)現(xiàn)。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380 偏移量測(cè)量時(shí)應(yīng)該注意許多
2016-12-29 20:58:210 MOS門極功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見(jiàn)的管腳引線電感。本文在理論分析和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開(kāi)關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2018-01-13 09:28:578162 
合和測(cè)量范圍，之所以會(huì)出現(xiàn)測(cè)量結(jié)果不一致的情況，往往和測(cè)試設(shè)備本身的參數(shù)特性有關(guān)系，其中很關(guān)鍵的一個(gè)指標(biāo)就是儀器的帶寬。帶寬不同的儀器，哪怕測(cè)試相同的信號(hào)，測(cè)試結(jié)果往往也都不同。 首先我們來(lái)看看儀器測(cè)量帶寬是
2018-01-17 09:52:002097 
和交變損耗建模。其次，對(duì)軟磁復(fù)合材料和無(wú)取向電工鋼片進(jìn)行模型參數(shù)辨識(shí)，并比較兩種材料的損耗特性和模型參數(shù)。最后，利用三維磁特性測(cè)量裝置進(jìn)行多種勵(lì)磁模式下的損耗測(cè)量，并對(duì)比實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模型預(yù)測(cè)值。結(jié)果表明，在旋轉(zhuǎn)復(fù)
2018-02-06 15:18:330 變壓器出廠實(shí)驗(yàn)需要測(cè)量其空載勵(lì)磁特性、空載損耗和負(fù)載損耗。空載損耗主要是鐵損耗，測(cè)量空載損耗時(shí)往往要施加一個(gè)容量較大的工頻電源。為了減小實(shí)驗(yàn)電源容量，使測(cè)量設(shè)備便攜化，提出一種采用低頻電源代替
2018-02-07 13:59:421 高壓開(kāi)關(guān)的介紹和作用高壓開(kāi)關(guān)分、合閘時(shí)間及同期性是用于測(cè)量高壓斷路器的機(jī)械性能，是變壓器與用電設(shè)備的橋接裝置，在整個(gè)回路中起到開(kāi)斷和關(guān)合的重要作用，測(cè)量高壓開(kāi)關(guān)其性能的好壞也是影響系統(tǒng)安全的重要因素
2018-08-13 15:15:20903 一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95％，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 16:54:535929 
同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開(kāi)關(guān)（高邊＋低邊）是對(duì)VIN和GND電壓進(jìn)行切換（ON/OFF），該過(guò)渡時(shí)間的功率乘以開(kāi)關(guān)頻率后的值即開(kāi)關(guān)損耗。
2020-04-06 10:51:00889 
功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 根據(jù)開(kāi)關(guān)器件的物理模型 ，分析了開(kāi)關(guān)器件在 Boost 電路中的損耗 ，并計(jì)算了 Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開(kāi)關(guān)損耗 ，給出了開(kāi)關(guān)器件的功耗分布。最后對(duì)一臺(tái) 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2021-05-11 11:01:2512 一、開(kāi)關(guān)損耗包括開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開(kāi)通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開(kāi)關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 電源工程師知道，整個(gè)電源系統(tǒng)中開(kāi)關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同，因?yàn)樗苤庇^，所以有些人對(duì)其計(jì)算仍然有些困惑.今天，我們將詳細(xì)分析
2021-10-22 17:35:5953 歡迎回到直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統(tǒng)效率方面的內(nèi)容，在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開(kāi)關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開(kāi)始：VDS和ID曲線隨時(shí)間變化
2022-01-21 17:01:12831 
，熱損耗極低。 開(kāi)關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開(kāi)關(guān)器件的損耗可以說(shuō)是開(kāi)關(guān)電源中最為重要的一個(gè)損耗點(diǎn)，課件開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是至關(guān)重要的。接下來(lái)普科科技PRBTEK就開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試方案中的探頭應(yīng)用進(jìn)行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 功率損耗是開(kāi)關(guān)器件性能評(píng)估的重要環(huán)節(jié)，也是工程師在選配時(shí)重點(diǎn)關(guān)注的一項(xiàng)高級(jí)功能。雖然很多實(shí)驗(yàn)室配備了功率損耗測(cè)量環(huán)境，對(duì)設(shè)備和探頭也投入不菲，但如果工程師忽略了探頭之間的時(shí)間偏移，測(cè)試結(jié)果很可能
2021-12-15 15:22:40416 
3、開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)損耗?? 由于開(kāi)關(guān)損耗是由開(kāi)關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開(kāi)關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間，也稱作死區(qū)時(shí)間，在這個(gè)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生
2022-01-07 11:10:270 開(kāi)關(guān)過(guò)程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時(shí)，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開(kāi)關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間，在開(kāi)關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開(kāi)關(guān)器件產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來(lái)，發(fā)現(xiàn)有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
從某個(gè)外企的功率放大器的測(cè)試數(shù)據(jù)上獲得一個(gè)具體的感受：導(dǎo)通損耗60W開(kāi)關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個(gè)例子：可知，六個(gè)管子的總功耗是714W這跟我在項(xiàng)目用用的那個(gè)150A的模塊試驗(yàn)測(cè)試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗：見(jiàn)文識(shí)意，開(kāi)關(guān)損耗就是開(kāi)關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個(gè)符號(hào)來(lái)表示。
2023-02-23 10:40:49622 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間的測(cè)量可以通過(guò)使用一個(gè)時(shí)間計(jì)數(shù)器來(lái)實(shí)現(xiàn)，可以通過(guò)設(shè)置一個(gè)起始時(shí)間和一個(gè)結(jié)束時(shí)間，然后計(jì)算兩者之間的時(shí)間差來(lái)測(cè)量晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間。
2023-02-24 16:20:252909 MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅(qū)動(dòng)能力。本應(yīng)用筆記將詳細(xì)分析導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗以及選擇開(kāi)關(guān)P溝道MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-03-10 09:26:35556 
CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2023-07-17 16:51:224668 
使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
使用電壓探頭和電流探頭等不同類型的示波器探頭進(jìn)行測(cè)量時(shí)，對(duì)探頭進(jìn)行偏移校正是十分必要的。 圖1 Keysight U1880A 偏移校正夾具 偏移校正十分重要，因?yàn)閷?duì)于開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量，晶體管開(kāi)關(guān)打開(kāi)
2024-02-04 11:31:30311 
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