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MOS門極功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見(jiàn)的管腳引線電感。本文在理論分析和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量結(jié)果的影響。
圖1是典型的IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試平臺(tái)工作原理，其基本形式是用IGBT、二極管、電感、直流電源組成斬波器，模擬各種開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)，用于測(cè)試，電路如圖1（a）。
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