動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-07-15 17:08
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發(fā)布了文章 2025-07-14 18:18
SiC MOSFET在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢
由于第四橋臂的引入,對比三相三橋臂變換器,負載相電壓的電平數(shù)從五個(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三個(±Udc,0),因此自然的,相同電路參數(shù)下,輸出電流的諧波畸變度將會更大,下圖所示為相同開關(guān)頻率,相同濾波器參數(shù)以及輸出相同電流有效值情況下,兩種拓撲的負載電壓電流波形與電流THD對比,三相四橋臂變換器輸出電流諧波含量明顯更高。(參考鏈接:三相72瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-12 08:32
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發(fā)布了文章 2025-07-02 17:06
揭秘SiC肖特基二極管的關(guān)斷電容效應(yīng)
/引言/碳化硅(SiC)器件憑借其出色的電氣和熱性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si)器件,成為高效能電子系統(tǒng)中的新寵。那么,SiC到底有何獨特之處?特別是在反向恢復特性方面,它們又是如何改變游戲規(guī)則的呢?讓我們一探究竟!1什么是反向恢復?在傳統(tǒng)硅功率器件中,反向恢復現(xiàn)象主要與它們內(nèi)部的寄生二極管有關(guān),指二極管從導通狀態(tài)(正向偏置)切換到反向阻斷狀態(tài)(反向偏置)時176瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-01 17:03