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英飛凌工業(yè)半導體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺,包括工程師應(yīng)用知識和經(jīng)驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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動態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2025-07-15 17:08

    新品 | 面向電動汽車充電應(yīng)用的Easy模塊產(chǎn)品擴展

    新品面向電動汽車充電應(yīng)用的Easy模塊產(chǎn)品擴展EasyPACK3B系列2000V/6mΩ、2000V/10mΩ和1200V/11mΩ四單元模塊,采用增強型第一代CoolSiCMOSFET技術(shù),集成NTC溫度傳感器并配備PressFIT針腳。產(chǎn)品型號:■F4-6MR20W3M1H_B11■F4-10MR20W3M1H_B11■F4-11MR12W3M1H_B1
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  • 發(fā)布了文章 2025-07-14 18:18

    SiC MOSFET在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢

    由于第四橋臂的引入,對比三相三橋臂變換器,負載相電壓的電平數(shù)從五個(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三個(±Udc,0),因此自然的,相同電路參數(shù)下,輸出電流的諧波畸變度將會更大,下圖所示為相同開關(guān)頻率,相同濾波器參數(shù)以及輸出相同電流有效值情況下,兩種拓撲的負載電壓電流波形與電流THD對比,三相四橋臂變換器輸出電流諧波含量明顯更高。(參考鏈接:三相
  • 發(fā)布了文章 2025-07-12 08:32

    AI的盡頭是能源?(1)

    本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品,來自上海科技大學的諸葛英健投稿。據(jù)《華爾街日報》7月1日報道,亞馬遜云服務(wù)正與美國最大的核電廠運營商ConstellationEnergy接近達成一項直接供電協(xié)議。而早在今年3月,亞馬遜以6.5億美元收購了位于賓夕法尼亞州的TalenEnergy旗下的Cumulus數(shù)據(jù)中心園區(qū)
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  • 發(fā)布了文章 2025-07-11 17:08

    IGBT的電流是如何定義的

    IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一,顯而易見FS450R12KE4就是450A1200VIGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了,但對于一位設(shè)計工程師是遠遠不夠的,而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解和流言。流言一:450AIGBT模塊最大輸出電流能力是450A,系統(tǒng)設(shè)計中需要留足夠的余量450A是FS450R12KE4的標稱電流。那么什么是標稱電流?為了搞清楚這一
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  • 發(fā)布了文章 2025-07-08 17:08

    新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品

    新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件產(chǎn)品線現(xiàn)擴充ThinTOLL8x8封裝的26mΩ和33mΩ型號,將導通電阻(RDS(on))的覆蓋范圍擴展至20mΩ到60mΩ,提供更精細的選型梯度。ThinTOLL封裝是標準8x8尺寸下發(fā)揮CoolS
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  • 發(fā)布了文章 2025-07-07 18:47

    三相四線變換器拓撲與原理簡介

    三相四線制配電具有穩(wěn)定性高、適用范圍廣等優(yōu)點,多應(yīng)用于工商業(yè)、民用等低壓配電場景,在傳統(tǒng)的APF、UPS等應(yīng)用里,三相四線變換器已被大量采用,近年來,工商業(yè)側(cè)儲能正以其經(jīng)濟性、電網(wǎng)友好性等特點蓬勃發(fā)展,其中離網(wǎng)應(yīng)用場景下,不平衡負載的帶載能力、諧波畸變度等都是其PCS的重要指標。SiCMOSFET結(jié)合三相四橋臂變換器在此應(yīng)用場景具有明顯的應(yīng)用優(yōu)勢,本文上篇將
  • 發(fā)布了文章 2025-07-05 08:32

    多相電機的奇妙世界(3):多相電機的應(yīng)用場景

    簡介本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品,來自華中科技大學劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。3多相電機的應(yīng)用場景經(jīng)過前面的介紹,相信大家已經(jīng)對多相電機的優(yōu)點有了進一步的認識。然而你可能會疑惑為什么多相電機有這么多優(yōu)點但實際生活中卻很少見到呢?這是因為多相電機往往應(yīng)用于功率需求較大或高可靠性的場合,且與之配套的變頻器往往需要獨立
  • 發(fā)布了文章 2025-07-04 17:09

    新品 | 650V CoolMOS™ 8超結(jié) (SJ) MOSFET

    新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù),為行業(yè)技術(shù)和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V電壓裕量,有助于滿足數(shù)據(jù)中心和電信應(yīng)用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外,它還能為電動汽車充電和固態(tài)斷路器(SSCB)應(yīng)用提供額外的浪涌保護。我們的650V
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  • 發(fā)布了文章 2025-07-02 17:06

    揭秘SiC肖特基二極管的關(guān)斷電容效應(yīng)

    /引言/碳化硅(SiC)器件憑借其出色的電氣和熱性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si)器件,成為高效能電子系統(tǒng)中的新寵。那么,SiC到底有何獨特之處?特別是在反向恢復特性方面,它們又是如何改變游戲規(guī)則的呢?讓我們一探究竟!1什么是反向恢復?在傳統(tǒng)硅功率器件中,反向恢復現(xiàn)象主要與它們內(nèi)部的寄生二極管有關(guān),指二極管從導通狀態(tài)(正向偏置)切換到反向阻斷狀態(tài)(反向偏置)時
  • 發(fā)布了文章 2025-07-01 17:03

    新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET

    新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝(TO-263-7),該系列導通電阻(RDS(on))范圍擴展至7mΩ至75mΩ等10款產(chǎn)品可選,為用戶提供更精準的選擇?;诘谝淮夹g(shù),第二代CoolSiCMOSFET650VG2采用D2PAK-7封裝,
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