動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-07-15 17:08
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發(fā)布了文章 2025-07-14 18:18
SiC MOSFET在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢
由于第四橋臂的引入,對比三相三橋臂變換器,負(fù)載相電壓的電平數(shù)從五個(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三個(±Udc,0),因此自然的,相同電路參數(shù)下,輸出電流的諧波畸變度將會更大,下圖所示為相同開關(guān)頻率,相同濾波器參數(shù)以及輸出相同電流有效值情況下,兩種拓?fù)涞呢?fù)載電壓電流波形與電流THD對比,三相四橋臂變換器輸出電流諧波含量明顯更高。(參考鏈接:三相138瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-12 08:32
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發(fā)布了文章 2025-07-11 17:08
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發(fā)布了文章 2025-07-08 17:08
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發(fā)布了文章 2025-07-07 18:47
三相四線變換器拓?fù)渑c原理簡介
三相四線制配電具有穩(wěn)定性高、適用范圍廣等優(yōu)點(diǎn),多應(yīng)用于工商業(yè)、民用等低壓配電場景,在傳統(tǒng)的APF、UPS等應(yīng)用里,三相四線變換器已被大量采用,近年來,工商業(yè)側(cè)儲能正以其經(jīng)濟(jì)性、電網(wǎng)友好性等特點(diǎn)蓬勃發(fā)展,其中離網(wǎng)應(yīng)用場景下,不平衡負(fù)載的帶載能力、諧波畸變度等都是其PCS的重要指標(biāo)。SiCMOSFET結(jié)合三相四橋臂變換器在此應(yīng)用場景具有明顯的應(yīng)用優(yōu)勢,本文上篇將 -
發(fā)布了文章 2025-07-05 08:32
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發(fā)布了文章 2025-07-04 17:09
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發(fā)布了文章 2025-07-02 17:06
揭秘SiC肖特基二極管的關(guān)斷電容效應(yīng)
/引言/碳化硅(SiC)器件憑借其出色的電氣和熱性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si)器件,成為高效能電子系統(tǒng)中的新寵。那么,SiC到底有何獨(dú)特之處?特別是在反向恢復(fù)特性方面,它們又是如何改變游戲規(guī)則的呢?讓我們一探究竟!1什么是反向恢復(fù)?在傳統(tǒng)硅功率器件中,反向恢復(fù)現(xiàn)象主要與它們內(nèi)部的寄生二極管有關(guān),指二極管從導(dǎo)通狀態(tài)(正向偏置)切換到反向阻斷狀態(tài)(反向偏置)時181瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-01 17:03