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      芯長征科技

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      一文詳解NMOS與PMOS晶體管的區(qū)別

      在電子世界的晶體管家族中，NMOS（N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）與 PMOS（P....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-14 17:05 ?347次閱讀
      一文詳解NMOS與PMOS晶體管的區(qū)別

      先進(jìn)封裝中的RDL技術(shù)是什么

      前面分享了先進(jìn)封裝的四要素一分鐘讓你明白什么是先進(jìn)封裝，今天分享一下先進(jìn)封裝四要素中的再布線（RDL....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-09 11:17 ?502次閱讀
      先進(jìn)封裝中的RDL技術(shù)是什么

      GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐

      GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中，如....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-09 11:13 ?1006次閱讀
      GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐

      車燈電子系統(tǒng)的DC-DC電源技術(shù)解析

      從電源設(shè)計(jì)到照明控制，車燈電子系統(tǒng)的每一個(gè)環(huán)節(jié)都蘊(yùn)含著豐富的技術(shù)原理，而 DC-DC 電源技術(shù)更是其....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-28 10:48 ?1034次閱讀
      車燈電子系統(tǒng)的DC-DC電源技術(shù)解析

      半導(dǎo)體WAT測試的常見結(jié)構(gòu)

      WAT（Wafer Acceptance Test）測試，也叫PCM（Process Control....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-28 10:26 ?734次閱讀
      半導(dǎo)體WAT測試的常見結(jié)構(gòu)

      MCU為什么不能直接驅(qū)動(dòng)大功率MOS管

      在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，經(jīng)常會(huì)用到MOS管做開關(guān)電路，而在驅(qū)動(dòng)一些大功率負(fù)載時(shí)，主控芯片并不會(huì)直接驅(qū)動(dòng)大功....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-06 10:27 ?1514次閱讀
      MCU為什么不能直接驅(qū)動(dòng)大功率MOS管

      碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

      碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V，是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導(dǎo)通損耗....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-04 09:22 ?513次閱讀
      碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

      MOSFET熱阻參數(shù)解讀

      MOSFET的熱阻（Rth）用來表征器件散熱的能力，即芯片在工作時(shí)內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-03 15:30 ?693次閱讀
      MOSFET熱阻參數(shù)解讀

      晶圓表面缺陷類型和測量方法

      在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓堪稱核心基石，其表面質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能、可靠性與良品率。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-29 16:00 ?845次閱讀
      晶圓表面缺陷類型和測量方法

      芯片封裝抗輻照技術(shù)研究

      航天器在太空服役時(shí)，由于無大氣層保護(hù)使電子器件直接收到太空環(huán)境中的太空輻射和高能粒子沖擊，進(jìn)而引發(fā)各....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-29 10:21 ?560次閱讀
      芯片封裝抗輻照技術(shù)研究

      詳解儲(chǔ)能系統(tǒng)黑啟動(dòng)技術(shù)

      儲(chǔ)能系統(tǒng)的“黑啟動(dòng)”是指在電力系統(tǒng)發(fā)生大規(guī)模停電或故障后，利用儲(chǔ)能系統(tǒng)作為備用電源，重新啟動(dòng)電網(wǎng)的過....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-29 10:16 ?638次閱讀
      詳解儲(chǔ)能系統(tǒng)黑啟動(dòng)技術(shù)

      MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

      導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線性區(qū)），漏....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-26 15:09 ?1037次閱讀
      MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

      電池?zé)峁芾硐到y(tǒng)技術(shù)的最新進(jìn)展與性能對比

      本文由愛爾蘭東南理工大學(xué)的David Culliton等人合作撰寫。本文綜述了鋰離子電池的產(chǎn)熱機(jī)制，....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-26 14:56 ?761次閱讀
      電池?zé)峁芾硐到y(tǒng)技術(shù)的最新進(jìn)展與性能對比

      注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

      為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾，提高器件的綜合性能和可靠性，在IGBT中引入....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-21 14:15 ?656次閱讀
      注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

      晶圓接受測試中的閾值電壓測試原理

      在芯片制造的納米世界里，閾值電壓(Threshold Voltage, Vth)如同人體的“血壓值”....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-21 14:10 ?402次閱讀
      晶圓接受測試中的閾值電壓測試原理

      芯長征SiC功率模塊榮獲2025金芯獎(jiǎng)新銳產(chǎn)品獎(jiǎng)

      此前，2025年5月14日至15日，第十二屆汽車電子創(chuàng)新大會(huì)（AEIF 2025）在上海盛大舉行，這....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-19 15:24 ?469次閱讀

      新能源純電動(dòng)汽車無法行駛故障分析

      車輛不能正常行駛，拖車拖到店面，診斷電腦讀取數(shù)據(jù)流報(bào)電機(jī)控制器故障碼，電池包內(nèi)部沒有任何故障，單體電....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-15 15:34 ?1226次閱讀
      新能源純電動(dòng)汽車無法行駛故障分析

      MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

      單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-15 15:32 ?1245次閱讀
      MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

      GaN與SiC功率器件深度解析

      本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-15 15:28 ?544次閱讀
      GaN與SiC功率器件深度解析

      芯長征科技亮相2025中國北京國際科技產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)

      此前，5 月 8 日至 11 日，第二十七屆中國北京國際科技產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在國家會(huì)議中心盛大舉辦。本屆科....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-13 18:13 ?457次閱讀

      IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

      包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等，....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-25 09:38 ?962次閱讀
      IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

      芯長征2025慕尼黑上海電子展圓滿收官

      近日，為期3天的慕尼黑上海電子展在上海新國際博覽中心圓滿收官。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-21 11:14 ?460次閱讀
      芯長征2025慕尼黑上海電子展圓滿收官

      負(fù)溫度系數(shù)電阻的定義和應(yīng)用場景

      你是否想過，為什么手機(jī)在高溫下會(huì)自動(dòng)降頻？電動(dòng)汽車的電池為何不會(huì)過熱爆炸？甚至醫(yī)院里的體溫計(jì)為何能精....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-10 14:40 ?811次閱讀
      負(fù)溫度系數(shù)電阻的定義和應(yīng)用場景

      驅(qū)動(dòng)芯片選型的關(guān)鍵因素

      電驅(qū)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)芯片是連接控制系統(tǒng)與電機(jī)之間的關(guān)鍵部件，其主要作用是將控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的功率....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-09 14:03 ?864次閱讀
      驅(qū)動(dòng)芯片選型的關(guān)鍵因素

      如何計(jì)算晶圓中芯片數(shù)量

      在之前文章如何計(jì)算芯片(Die)尺寸?中，討論了Die尺寸的計(jì)算方法，在本文中，將討論如何預(yù)估一個(gè)晶....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-02 10:32 ?919次閱讀
      如何計(jì)算晶圓中芯片數(shù)量

      詳解晶圓級可靠性評價(jià)技術(shù)

      隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級可靠性（Wafer L....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 03-26 09:50 ?652次閱讀
      詳解晶圓級可靠性評價(jià)技術(shù)

      800V低成本壓縮機(jī)控制方案

      目前電動(dòng)汽車正向智能化,高壓化方向發(fā)展,前者在于提升汽車智能性,后者在于改善汽車充電時(shí)間等特性.為此....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 03-20 09:44 ?1332次閱讀
      800V低成本壓縮機(jī)控制方案

      基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述

      拿到一個(gè)ST的宣傳材料，該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案，也找了文....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 03-01 14:37 ?877次閱讀
      基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述

      芯片封裝可靠性測試詳解

      可靠性，作為衡量芯片封裝組件在特定使用環(huán)境下及一定時(shí)間內(nèi)損壞概率的指標(biāo)，直接反映了組件的質(zhì)量狀況。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 02-21 16:21 ?1572次閱讀
      芯片封裝可靠性測試詳解

      半導(dǎo)體芯片制造中的檢測和量測技術(shù)

      質(zhì)量控制設(shè)備是芯片制造的關(guān)鍵核心設(shè)備之一，對于確保芯片生產(chǎn)的高良品率起著至關(guān)重要的作用。集成電路制造....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 02-20 14:20 ?1859次閱讀
      半導(dǎo)體芯片制造中的檢測和量測技術(shù)