--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 工作溫度 ≥-40℃，≤85℃
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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MC96FT162D(T) ABOV(韓國(guó)現(xiàn)代）單片機(jī) 封裝SOP-24 規(guī)格書 現(xiàn)貨2023-09-08 16:44
產(chǎn)品型號(hào)：MC96FT162D(T) 工作電壓：3.3V 工作溫度：≥0℃，≤85℃ 封裝：SOP-24 應(yīng)用場(chǎng)景：家電 -
FT6436U-B 敦泰FOCALTECH 封裝 QFN32 觸控IC 規(guī)格書 現(xiàn)貨庫(kù)存2023-09-08 16:29
產(chǎn)品型號(hào)：FT6436U-B 工作溫度：≥-40℃，≤85℃ -
PD020065EP-G 碳化硅二極管SiC Diode SK TO-220-2L 650V 8A 車載2023-09-08 15:08
產(chǎn)品型號(hào)：PM130N120LH-G 品牌：SK PowerTech 封裝：TO-247 應(yīng)用：開關(guān)電源/太陽能逆變器/DC-DC轉(zhuǎn)換器/電池充電器/電機(jī)驅(qū) -
MBB500TX7B HITACHI/日立 B-3 IPM模塊 變頻空調(diào) 電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器2023-09-08 14:19
產(chǎn)品型號(hào)：MBB500TX7B 品牌：HITACHI 封裝：B-3 應(yīng)用：變頻空調(diào)，辦公電器，醫(yī)療儀器，通訊電源，逆變焊機(jī)，電動(dòng)汽車驅(qū) -
ATGH40N120F2DR TRINNO/特瑞諾 IGBT 封裝 TO-247-3L 功率器件2023-09-08 10:21
產(chǎn)品型號(hào)：ATGH40N120F2DR 品牌：特瑞諾 封裝：TO-247-3L 應(yīng)用：PTC加熱器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器、壓縮機(jī)、汽車
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恩智浦推出全新1200 V、20 A碳化硅肖特基二極管，助力工業(yè)電源應(yīng)用高效能量轉(zhuǎn)換2025-07-15 09:58
近日，知名半導(dǎo)體公司恩智浦(NXP)宣布推出兩款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些新產(chǎn)品的推出旨在滿足日益增長(zhǎng)的工業(yè)電源應(yīng)用需求，特別是在超低功率損耗整流方面。這一創(chuàng)新不僅將推動(dòng)各個(gè)工業(yè)部門的高效能量轉(zhuǎn)換，還將幫助企業(yè)實(shí)現(xiàn)更高的能效和更低的運(yùn)營(yíng)成本。隨著工業(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)化進(jìn)程的加速，電源管理的效率變得越來越重要。恩智浦的新型碳化硅肖特基 -
浮思特 | 高溫高柵壓耦合加速IGBT性能劣化機(jī)制與防護(hù)2025-07-15 09:57
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件，其長(zhǎng)期可靠性直接關(guān)系到設(shè)備壽命與運(yùn)行安全。在諸多應(yīng)力因素中，高柵極電壓(Vge)與工作溫度(Tj)的協(xié)同作用，往往成為加速器件內(nèi)部劣化、引發(fā)早期失效的關(guān)鍵誘因。本文深入探討該耦合效應(yīng)背后的物理機(jī)制，并基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)提出緩解策略。柵極電壓與IGBT可靠性基礎(chǔ)IGBT的柵極結(jié)構(gòu)類似于MOSFET，其123瀏覽量 -
瑞薩電子推出650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，推動(dòng)高效電源轉(zhuǎn)換技術(shù)2025-07-14 10:17
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浮思特 | 如何開發(fā)高效可靠的人機(jī)界面(HMI)：實(shí)踐與考量2025-07-14 10:16
在復(fù)雜設(shè)備控制系統(tǒng)的開發(fā)中，為不同角色的使用者(如操作員、管理員、維護(hù)人員)設(shè)計(jì)合適的交互界面至關(guān)重要，這便是人機(jī)界面(HMI)的核心任務(wù)。HMI形式多樣，從緊湊的嵌入式LCD屏到大型工業(yè)觸摸屏，乃至支持遠(yuǎn)程操作的Web或App界面，其設(shè)計(jì)質(zhì)量直接影響設(shè)備的易用性、效率和安全性。需求定義：成功的基石敏捷開發(fā)模式在HMI設(shè)計(jì)中頗為流行，通過迭代沖刺推進(jìn)需求、設(shè) -
三星電子全力推進(jìn)2納米制程，力爭(zhēng)在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率70%2025-07-11 10:07
根據(jù)韓國(guó)媒體ChosunBiz的報(bào)道，三星電子的晶圓代工事業(yè)部正在全力押注其2納米制程技術(shù)，目標(biāo)是在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率提升至70%。這一戰(zhàn)略旨在吸引更多大客戶訂單，進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)地位。業(yè)界普遍認(rèn)為，目前三星的2納米制程良率仍不足30%。雖然有內(nèi)部消息稱其初期良率已優(yōu)于以往的制程技術(shù)，但在量產(chǎn)階段，三星能否與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電抗衡仍然是一個(gè) -
浮思特 | 超越傳統(tǒng)：集成電流傳感器IC的技術(shù)解析與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)2025-07-11 10:06
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全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng) 2025年5月銷售額達(dá)590億美元2025-07-10 10:05
根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，2025年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到590億美元，較2024年5月的492億美元增長(zhǎng)了19.8%。這一增長(zhǎng)趨勢(shì)不僅反映了半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇，也顯示出行業(yè)需求的持續(xù)上升。SIA總裁兼首席執(zhí)行官JohnNeuffer表示，5月全球半導(dǎo)體銷售表現(xiàn)強(qiáng)勁。不僅高于4月份的銷售總額，也遠(yuǎn)超去年同期的水平。這一銷售增長(zhǎng)的背后，反 -
浮思特 | (ABOV)現(xiàn)代單片機(jī)在現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用與技術(shù)趨勢(shì)2025-07-10 10:03
當(dāng)今，微控制器(MCU)已成為最核心的計(jì)算技術(shù)之一，其存在是所有嵌入式應(yīng)用的基礎(chǔ)。微控制器提供了無數(shù)計(jì)算解決方案，有些甚至專為特定應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)，例如電機(jī)控制。電機(jī)控制應(yīng)用通常通過組合專用電機(jī)控制單元和系統(tǒng)控制單元來實(shí)現(xiàn)，兩者均采用微控制器及相關(guān)軟件。部分微控制器專為同時(shí)控制多臺(tái)永磁電機(jī)而設(shè)計(jì)，可應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)、洗碗機(jī)等設(shè)備。此外，工業(yè)領(lǐng)域的通用變頻器、不478瀏覽量 -
混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動(dòng)汽車的最優(yōu)解?2025-07-09 09:58
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現(xiàn)代電動(dòng)汽車牽引系統(tǒng)的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱，但其固有的高開關(guān)損耗和較慢開關(guān)速度會(huì)降低系統(tǒng)效率，尤其在高頻和低負(fù)載工況下表現(xiàn)更為明顯。相比之下，基于SiC的逆變器雖具有更低開關(guān)損耗和更高效率，但其制造成本較高且依賴先進(jìn)工藝。混合SiC/IGBT方案旨在融合SiC的高效快速與IG1006瀏覽量 -
浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開爾文源極結(jié)構(gòu)2025-07-08 10:28
本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計(jì)方面的進(jìn)展，重點(diǎn)關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗方面的作用，以及開爾文源極連接結(jié)構(gòu)對(duì)高頻應(yīng)用效率的優(yōu)化效果。同時(shí)分析了新一代SiCMOSFET器件在平衡特定導(dǎo)通電阻(Rsp)與短路耐受時(shí)間(SCWT)方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)思路。PowerMaster擴(kuò)展了其增強(qiáng)型碳化硅(eSiC)MOSFE
