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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱(chēng)為單極型晶體管。
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在這項(xiàng)研究中,使用機(jī)械剝離和分子束外延(MBE)技術(shù)制備了少層 γ-GaSe。通過(guò)對(duì) X 射線光電子能譜(XPS)、X 射線衍射(XRD)、拉曼光譜和二...
2023-06-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2491 0
while(1)到底占了多少CPU功耗呢?這些功耗去哪里了呢?
我們將CPU簡(jiǎn)單看作場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET的集合。這么多個(gè)FET隨著每一次的翻轉(zhuǎn)都在消耗者能量。
2023-06-29 標(biāo)簽:電源管理FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2417 0
光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)中使用的芯片種類(lèi)多樣,它們?cè)谙到y(tǒng)的不同部分發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2343 0
nandflash和norflash的主要特點(diǎn)和區(qū)別
NAND Flash和NOR Flash都是基于浮柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Floating Gate FET)的結(jié)構(gòu)。它們都包含源極(Source)、漏極(Dr...
2024-02-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管Nand flashNOR flash 2340 0
靶材的種類(lèi)及制備工藝 靶材在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用
選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。
2023-12-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaAs 2321 0
電源防反接(也稱(chēng)作反接保護(hù))是一種電子電路設(shè)計(jì)中非常重要的環(huán)節(jié),主要用于防止電源(如電池)的正負(fù)極被錯(cuò)誤連接導(dǎo)致的系統(tǒng)損壞或故障。在實(shí)際應(yīng)用中,反接保護(hù)...
2023-12-25 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 2320 0
從底層重新認(rèn)識(shí)D觸發(fā)器、建立時(shí)間和保持時(shí)間
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)或 IGFET(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它在柵極和主體之間利用絕緣體(如 SiO2)。如今,...
2023-12-04 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管D觸發(fā)器 2280 0
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和特性
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)JFET)是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件,其工作原理和特...
2024-10-07 標(biāo)簽:JFET柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2254 0
MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。MOSFET的導(dǎo)通電壓,也稱(chēng)為閾值電壓(Vth),是MOSFET...
【Soc級(jí)系統(tǒng)防御】Soc硬件木馬與電子鏈學(xué)習(xí)
隨著尖端工藝的代工成本和現(xiàn)代片上系統(tǒng)(system-on-a-chip,SoC)平臺(tái)設(shè)計(jì)復(fù)雜性的不斷提高,曾經(jīng)局限于一個(gè)國(guó)家甚至一家公司的IC供應(yīng)鏈已經(jīng)...
2023-11-20 標(biāo)簽:處理器FPGA設(shè)計(jì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2150 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類(lèi)型及特點(diǎn)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件,用于控制電流的流動(dòng)。
2024-02-22 標(biāo)簽:MOSFETJFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2122 0
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。
2024-02-18 標(biāo)簽:MOSFET阻抗匹配場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2121 1
什么會(huì)影響MOS管驅(qū)動(dòng)電壓降低呢?
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的驅(qū)動(dòng)電壓降低可能會(huì)受到以下因素的影響
N-MOS電路是一種基本的邏輯門(mén)電路,它在數(shù)字電子電路中起著重要的作用。在本文中,我們將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地探討N-MOS電路的基本原理、特性以及邏輯表達(dá)...
2023-12-07 標(biāo)簽:電路NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2073 0
MOS管屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,相關(guān)文章:MOS管基本認(rèn)識(shí)。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)...
2022-09-13 標(biāo)簽:三極管MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2064 0
人體呼氣中揮發(fā)性有機(jī)物濃度的變化與某些疾病密切相關(guān),通過(guò)分析人體呼氣中的揮發(fā)性有機(jī)物來(lái)診斷疾病是一種無(wú)創(chuàng)非侵入性、操作方便的手段,近年來(lái)在疾病診斷和早期...
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的定義和引腳配置
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)JFET)是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件。它的核心特點(diǎn)在...
2024-10-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體JFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2031 0
什么是MOSFET?MOSFET是全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物...
2022-10-11 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2030 0
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)...
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2008 0
MOSFET超過(guò)耐壓值的原因、影響及檢測(cè)方法
在電子電路設(shè)計(jì)中,MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率器件,具有高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動(dòng)功耗等優(yōu)點(diǎn)。然而,如果MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 2003 0
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