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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

EDA探索之新型垂直互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

集成電路密度的提升是一個(gè)業(yè)界持續(xù)追求的方向，也是“集成”的含義所在。提升集成電路器件密度有多種方式，其中降低器件的單位面積是最根本也是最有效的途徑。

2023-02-16 標(biāo)簽：集成電路振蕩器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1508 0

基于Cr2C的面內(nèi)雙勢(shì)壘磁性隧道結(jié)中的巨遂穿磁阻

然而，關(guān)于基于2D磁性材料的平面內(nèi)MTJ的報(bào)道很少。已報(bào)道的平面內(nèi)MTJ Mn2CF2/Ti2CO2/Mn2CF2，其TMR的峰值約為106。面內(nèi)MTJ...

2023-06-01 標(biāo)簽：納米場(chǎng)效應(yīng)晶體管磁性材料 1502 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進(jìn)展

近期，美國(guó)南卡羅來(lái)納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：充電器晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1478 0

IGBT的G極電壓影響因素、測(cè)量方法及應(yīng)用

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種電力電子器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的優(yōu)點(diǎn)。IGBT在許多領(lǐng)域中...

2024-07-25 標(biāo)簽：電壓 IGBT 電子器件 1463 0

高壓大電流DMOS外延區(qū)電阻率設(shè)計(jì)

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

2023-07-07 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源斬波器逆變器 1458 0

MOS管的原理是什么？它是如何起作用的？

mos管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。是金屬（metal）—氧化物（oxid）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2023-02-12 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管晶體管 1449 0

簡(jiǎn)化汽車車身電機(jī)控制器設(shè)計(jì)，快速實(shí)現(xiàn)輕量化

本文中，我們將討論可幫助應(yīng)對(duì)這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、集成到電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路中的特定模擬功能。

2020-12-14 標(biāo)簽：德州儀器場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動(dòng) 1449 0

MOS管FDBL86066型號(hào)參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BMS

儲(chǔ)能行業(yè)的發(fā)展每年都在增長(zhǎng)，尤其是在俄烏沖突的影響下，海外民眾為解決用電需求，開(kāi)始購(gòu)入戶用儲(chǔ)能等產(chǎn)品，在歐洲的海外市場(chǎng)爆發(fā)尤為顯著。

2023-08-07 標(biāo)簽：MOS管電池管理系統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1435 0

FET晶體管電路設(shè)計(jì)參數(shù)

與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計(jì)方式與雙極晶體管電路的設(shè)計(jì)方式大不相同。

2024-01-09 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1419 0

mos驅(qū)動(dòng)芯片失調(diào)電壓的產(chǎn)生原因

MOS驅(qū)動(dòng)芯片，也稱為MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的集成電路。 MOSFET簡(jiǎn)介 MOSFET是一種...

2024-07-14 標(biāo)簽：MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)芯片 1404 0

北京理工大學(xué)實(shí)現(xiàn)了光導(dǎo)型向平面光伏型量子點(diǎn)紅外成像芯片的變革

紅外成像技術(shù)有廣泛應(yīng)用，現(xiàn)有的紅外成像芯片主要采用外延生長(zhǎng)方法制備的塊體半導(dǎo)體材料，通過(guò)倒裝鍵合工藝實(shí)現(xiàn)與硅基讀出電路互聯(lián)，其價(jià)格高昂、工藝復(fù)雜，嚴(yán)重制...

2023-08-11 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器 1387 0

11GHz ~ 20GHz HMC554ALC3BTR混頻器概述

HMC554ALC3B是一種通用的雙平衡無(wú)引線RoHS兼容無(wú)引線芯片載體（LCC）中的混頻器可以用作上變頻器或下變頻器的封裝。

2023-05-26 標(biāo)簽：變頻器混頻器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1324 0

低溫傳輸測(cè)量證明了高質(zhì)量扭曲的雙層石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°時(shí)的預(yù)期特征。在圖1b中，四探針縱向電阻Rxx被繪制成在基礎(chǔ)混合室溫度為40 mK時(shí)使...

2023-02-10 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管石墨烯晶格 1324 0

平面光伏型膠體量子點(diǎn)紅外成像芯片的工作原理

電場(chǎng)激活原位摻雜的平面光伏型膠體量子點(diǎn)紅外成像芯片的工作原理如圖1所示。通過(guò)離子溶液處理和恒定電場(chǎng)激活，器件的工作模式由光導(dǎo)型變成了光伏型。場(chǎng)效應(yīng)晶體管...

2023-08-11 標(biāo)簽：探測(cè)器場(chǎng)效應(yīng)晶體管短波 1322 0

半導(dǎo)體光刻工藝光刻—半導(dǎo)體電路的繪制

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。

2023-07-27 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1322 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)場(chǎng)效應(yīng)管和集成運(yùn)放

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET），又稱場(chǎng)效應(yīng)管，是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電壓控制型半導(dǎo)體器...

2024-08-15 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成運(yùn)放 1300 0

柵極驅(qū)動(dòng)芯片怎么提高電流

柵極驅(qū)動(dòng)芯片提高電流的方法主要有以下幾種： 1. 增加功率管增加MOSFET數(shù)量：通過(guò)增加MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等功率管的數(shù)量...

2024-09-18 標(biāo)簽：芯片電流場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1298 0

選用MOS管還是三極管？

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。

2023-02-16 標(biāo)簽：三極管場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 1279 0

單相逆變電路的類型有哪些

單相逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備，廣泛應(yīng)用于家用電器、工業(yè)控制、可再生能源等領(lǐng)域。單相逆變電路的類型單相逆變電路按照不同的分...

2024-07-08 標(biāo)簽：電子設(shè)備場(chǎng)效應(yīng)晶體管逆變電路 1268 0

請(qǐng)教一下經(jīng)受過(guò)嚴(yán)重ESD電擊的CMOS IC的可靠性會(huì)降低嗎？

靜電放電（ESD）是電子設(shè)備中一種常見(jiàn)的危害，它可能導(dǎo)致集成電路（IC）的損壞。對(duì)于CMOS IC來(lái)說(shuō)，經(jīng)受過(guò)嚴(yán)重ESD電擊的可靠性會(huì)降低。

2023-12-15 標(biāo)簽：集成電路 CMOS ESD 1220 0

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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