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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認證
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達到電動汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車載充電機（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效...
2025-04-17 標簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體功率芯片 1946 0
納微半導(dǎo)體AI數(shù)據(jù)中心電源方案亮相2025慕尼黑上海電子展
眾所周知，“80 PLUS”是用于評估并認證計算機和服務(wù)器內(nèi)部電源效率的重要標準指標，而2011年推出的鈦金作為其最嚴苛的效率標準，也于2025年1月，...
2025-04-16 標簽：電源數(shù)據(jù)中心氮化鎵 599 0
似乎我們的所有設(shè)備，都只能一味地“索取”電能，但你有沒有想過，有一天我們的電子設(shè)備也能在電網(wǎng)需要時，將儲存的電能反向輸送。
2025-04-15 標簽：氮化鎵功率芯片雙向開關(guān) 438 0
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號 功率65W
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U87...
意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能
??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)。 ??英諾賽科可借助意法...
2025-04-01 標簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵英諾賽科 1736 0
芯干線榮獲2025中國IC設(shè)計成就獎之年度最佳功率器件/寬禁帶器件
此前，2025年3月27-28日，全球前沿的電子行業(yè)媒體機構(gòu) AspenCore，在上海金茂君悅大酒店成功舉辦了“國際集成電路展覽會暨研討會(IIC S...
意法半導(dǎo)體MasterGaN與VIPerGaN產(chǎn)品家族介紹
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新，智能功率氮化鎵（GaN）成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性，以及智能控制電路和...
2025-03-24 標簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 824 0
氮化鎵技術(shù)再突破！英飛凌重磅發(fā)布新品，助力人形機器人能效革新
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月14日，在英飛凌ICIC峰會上，英飛凌首次在國內(nèi)展示英飛凌發(fā)布兩項技術(shù)創(chuàng)新，分別是英飛凌300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μ...
2025-03-20 標簽：氮化鎵 1990 0
中科院最新實驗數(shù)據(jù)顯示：一片比指甲蓋還小的納米金剛石膜，能讓氮化鎵器件壽命暴增8倍！華為被曝光的實驗室視頻更震撼：用激光在GaN芯片上‘雕刻’出微米級鉆...
納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布...
CGD官宣突破性技術(shù)：以創(chuàng)新性氮化鎵解決方案撬動超百億美元新能源車主驅(qū)逆變器市場
通過將ICeGaN HEMT與IGBT混合并聯(lián)集成至單一封裝，實現(xiàn)高效率與降本雙贏 ? 2025年3月10日，英國劍橋訊——Cambridge GaN ...
2025-03-11 標簽：氮化鎵 724 0
SiC與GaN技術(shù)專利競爭：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機遇
在過去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢，如降低功率損耗、更高的開關(guān)速度以及能...
全日程更新丨2025英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇向你發(fā)出邀請
英飛凌全球?qū)捊麕ч_發(fā)者論壇連續(xù)多年舉辦，匯集了來自碳化硅SiC和氮化鎵GaN領(lǐng)域的專家，更有一個來自中國客戶的特邀報告。2025年3月11日北京時間下午...
國產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進口GaN功率半導(dǎo)體
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進口GaN功率半導(dǎo)體，國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場景上的優(yōu)勢，使其在汽車、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...
在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團隊優(yōu)化制程達到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?...
香港科技大學(xué)陳敬教授課題組公布氮化鎵與碳化硅領(lǐng)域多項最新研究成果
? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉： 香港科技大學(xué)電子與計算機工程系陳敬教授課題組 ，在第70屆國際電子器件大會（IEEE International Electro...
突破電力效能邊界：ZN70C1R460D 氮化鎵晶體管重磅登場！
?在科技飛速發(fā)展的當下，電子元件的創(chuàng)新成為推動各領(lǐng)域進步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（...
電激發(fā)式藍紫光垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)
上述實驗結(jié)果為近年來局限在光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL?的結(jié)果，一直到2008年，作者實驗室首次在77 K?下成功制作出第一個電激發(fā)氮化鎵VCSEL，其雷...
在氮化鎵藍光?VCSEL?發(fā)展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個室溫下光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL，其元件結(jié)構(gòu)由10?μm?厚的GaN...
前言 近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充電器，這款產(chǎn)品基于華源智信氮化鎵方案設(shè)計，因此整體做到相當小巧，搭配可折疊插腳，便攜性很好。...
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