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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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幾十年來(lái),硅一直主導(dǎo)著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導(dǎo)體已被開(kāi)發(fā)出來(lái),提供獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如,有了化合物半...
GaN功率電子分立器件產(chǎn)品類(lèi)型的簡(jiǎn)介以及其特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)分析
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)...
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
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2025-03-13 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路功率器件 1.4萬(wàn) 0
氮化鎵(GaN)功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng),能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,同時(shí)在較高的擊穿電...
雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力,但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的挑戰(zhàn),使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個(gè)主要因素是成本。目前,GaN的制造...
硅基氮化鎵外延生長(zhǎng)是在硅片上經(jīng)過(guò)各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層,為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線(xiàn)路,縮小并制作在極...
氮化鎵充電器有什么優(yōu)點(diǎn)?拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內(nèi)部來(lái)看這個(gè)充電器如何?
倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN)+碳化硅(SiC) 充電器。 有2個(gè)USB Type-C輸出接口和1個(gè)USB Type-A輸出接...
最近,麻省理工學(xué)院(MIT)、半導(dǎo)體公司IQE、哥倫比亞大學(xué)、IBM以及新加坡MIT研究與技術(shù)聯(lián)盟的科研人員展示出一項(xiàng)新型設(shè)計(jì),讓氮化鎵功率器件處理的電...
2018-01-04 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換晶體管氮化鎵 1.2萬(wàn) 0
氮化鎵(GaN)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀(jì) 90 年代亮相,目前廣泛應(yīng)用于商業(yè)和國(guó)防領(lǐng)域,但工程應(yīng)用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書(shū)之后,可...
氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定...
隨著技術(shù)的發(fā)展,終端設(shè)備對(duì)于半導(dǎo)體器件性能、效率、小型化要求的越來(lái)越高,特別是隨著5G的即將到來(lái),也進(jìn)一步推動(dòng)了以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材...
納微專(zhuān)家談:氮化鎵GaN HEMT有體二極管嗎?
工程師于是感到非常困惑,GaN HEMT可以反向?qū)ǎ堑降子羞€是沒(méi)有體二極管?
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代...
氮化鎵充電器和原裝充電器是兩種不同類(lèi)型的充電器,它們的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)都有所不同。要判斷哪種更好,需要從不同的角度進(jìn)行比較和分析。 首先,從充電效率方面來(lái)看。...
淺析氮化鎵技術(shù)原理及技術(shù)突破路線(xiàn)
通過(guò)種種信息,我們應(yīng)該都能發(fā)現(xiàn),氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場(chǎng)持平,而且,氮化鎵充電器是近幾年新開(kāi)發(fā)出來(lái)的,從剛開(kāi)始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的14...
3.4GHz-3.8GHz寬帶基站功放解決方案詳細(xì)過(guò)程
中國(guó)首家商用氮化鎵(GaN)電子器件生產(chǎn)企業(yè)蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 (Dynax Semiconductor, Inc.),發(fā)布適合5G移動(dòng)通信的寬...
氮化鎵的技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn)及在無(wú)線(xiàn)基站中的應(yīng)用分析
用于無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革,特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來(lái)的...
2020-02-12 標(biāo)簽:無(wú)線(xiàn)基站氮化鎵 1.0萬(wàn) 0
通過(guò)單片GaN集成提高性能,同時(shí)減小尺寸和成本
15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵 (GaN) 異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和激光雷達(dá)脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...
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