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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵技術(shù)

什么是氮化鎵(GaN)?GaN的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

什么是氮化鎵(GaN)?GaN的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

GaN近期為何這么火?如果再有人這么問(wèn)你,你可以這樣回答:因?yàn)槲覀冸x不開(kāi)電源。

2023-11-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān)氮化鎵 6613 0

一文解讀DC/DC轉(zhuǎn)換器的熱管理及熱分析

一文解讀DC/DC轉(zhuǎn)換器的熱管理及熱分析

系統(tǒng)級(jí)熱設(shè)計(jì)對(duì)于DC / DC轉(zhuǎn)換器的電氣規(guī)格同樣重要。越來(lái)越多的分布式電源架構(gòu)(DPA)使用增加了熱設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。

2021-01-20 標(biāo)簽:熱敏電阻DC-DC轉(zhuǎn)換器氮化鎵 6508 0

氮化鎵的用途是什么

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體, 氮化鎵主要還是用于LED(發(fā)光二極管),微...

2023-02-06 標(biāo)簽:led發(fā)光二極管氮化鎵 6311 0

氮化鎵屬于什么晶體,GaN材料具有哪些優(yōu)勢(shì)

  氮化鎵(氮化鎵)是一種半導(dǎo)體材料,是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優(yōu)點(diǎn)是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統(tǒng)。與硅基解決方案相比...

2023-02-13 標(biāo)簽:晶體管電子器件氮化鎵 6131 0

在氮化鎵技術(shù)中,熱設(shè)計(jì)與電氣設(shè)計(jì)同等重要

為管理今天的熱設(shè)計(jì),電路設(shè)計(jì)人員讓熱量在半導(dǎo)體表面擴(kuò)散,增加器件單元之間的距離或縮小器件單元。但是,熱設(shè)計(jì)不僅僅是芯片層面。封裝工程人員也必須幫忙,因?yàn)?..

2018-01-04 標(biāo)簽:氮化鎵電氣設(shè)計(jì)熱設(shè)計(jì) 6121 0

為什么選擇氮化鎵?淺談氮化鎵在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用

對(duì)于服務(wù)器,這通常是空調(diào)房間中的AC到12 V DC,而對(duì)于傳統(tǒng)的低功能(例如,僅語(yǔ)音)電信系統(tǒng),這是遠(yuǎn)程潮濕的“蜂窩塔”,需要AC進(jìn)行“防腐蝕” ,負(fù)...

2021-03-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 6050 0

碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

  SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單,單元...

2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFETSiC氮化鎵 6019 0

氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域

從消費(fèi)類、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況,重點(diǎn)介紹了氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域,消費(fèi)類快充以及汽車領(lǐng)域的OBC。

2023-02-06 標(biāo)簽:工業(yè)氮化鎵OBC 5966 0

意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準(zhǔn)下一代50W高能效電源設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準(zhǔn)下一代50W高能效電源設(shè)計(jì)

VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50?W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...

2022-05-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體氮化鎵 5940 0

現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA) 電源設(shè)計(jì)

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為了擴(kuò)大 GaN 在汽車、并網(wǎng)存儲(chǔ)和太陽(yáng)能等新應(yīng)用中的應(yīng)用(圖 3),TI 正在展示其自己的對(duì)流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺(tái)。 該平臺(tái)...

2022-04-22 標(biāo)簽:fpga氮化鎵GaN 5922 0

氮化鎵器件在D類音頻功放中的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)

氮化鎵器件在D類音頻功放中的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)

本文檔介紹了D類音頻功放的典型設(shè)計(jì),概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎(chǔ)應(yīng)用,并簡(jiǎn)單介紹了氮化鎵器件在D類音頻功放設(shè)計(jì)中,相較于硅基器件所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。

2023-04-19 標(biāo)簽:二極管晶體管氮化鎵 5879 0

氮化鎵技術(shù)研究新進(jìn)展,如何作為“電力電子應(yīng)用中敏感探針”使用?

美國(guó)康奈爾大學(xué),IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地將埋入式p型GaN層活化 [Wenshen Li et al, Appl. Ph...

2018-09-09 標(biāo)簽:晶體管電力電子氮化鎵 5826 0

移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)5G開(kāi)發(fā)基于氮化鎵(GaN)的經(jīng)濟(jì)高效的高性能技術(shù)

基站是蜂窩網(wǎng)絡(luò)的連接點(diǎn)。它們記錄無(wú)線電小區(qū)的傳輸數(shù)據(jù)并將其傳遞。為了確保未來(lái)毫米波頻段內(nèi)的數(shù)據(jù)泛濫,基站技術(shù)需要滿足兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn):輸出功率需要提高,同時(shí)保持...

2018-09-20 標(biāo)簽:移動(dòng)通信氮化鎵5G 5802 0

氮化鎵是什么晶體類型

氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,屬于六方晶系晶體。在過(guò)去的幾十年里,氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料,受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會(huì)詳盡地介紹氮化鎵的...

2024-01-10 標(biāo)簽:晶體光電器件半導(dǎo)體材料 5690 0

什么是GaN氮化鎵?為什么充電器用GaN而不是SiC?

新能源車的功率控制單元(PCU)是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng),管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成,強(qiáng)電流與高壓...

2022-10-08 標(biāo)簽:充電器SiC氮化鎵 5648 0

什么是氮化鎵(GaN)?什么是高電子遷移率晶體管?

什么是氮化鎵(GaN)?什么是高電子遷移率晶體管?

氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體,用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長(zhǎng)氮化鋁鎵(AlGaN)薄層并在界面施加應(yīng)力,從而產(chǎn)生二維電子氣(...

2023-02-10 標(biāo)簽:集成電路晶體管氮化鎵 5638 0

基于GaN的特性,越來(lái)越多的人看好其發(fā)展的后勢(shì)

而GaN技術(shù)可以做到,因?yàn)樗悄壳叭蜃羁斓墓β书_(kāi)關(guān)器件,并且可以在高速開(kāi)關(guān)的情況下仍保持高效率水平,能夠應(yīng)用于更小的元件,應(yīng)用于充電器時(shí)可以有效縮小產(chǎn)...

2019-01-24 標(biāo)簽:充電器氮化鎵半導(dǎo)體器件 5574 0

什么是激光雷達(dá) 如何用氮化鎵消除激光雷達(dá)

什么是激光雷達(dá) 如何用氮化鎵消除激光雷達(dá)

在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中,傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無(wú)法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制,MOSFET的溝道必須很大,這會(huì)導(dǎo)致寄生電容...

2021-01-11 標(biāo)簽:激光器氮化鎵adas 5531 0

氮化鎵和砷化鎵哪個(gè)先進(jìn)

氮化鎵(GaN)和砷化鎵(GaAs)都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員,它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而,要判斷哪個(gè)更先進(jìn),并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二...

2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 5375 0

采用NV611X系列氮化鎵(GaN)進(jìn)行電源設(shè)計(jì)熱處理及PCB layout 注意事項(xiàng)

采用NV611X系列氮化鎵(GaN)進(jìn)行電源設(shè)計(jì)熱處理及PCB layout 注意事項(xiàng)

介紹 GaN功率集成電路提供超低電容,優(yōu)良的開(kāi)關(guān)特性,低RDS(ON),封裝在一個(gè)小QFN封裝里。這些特性使GaN非常適合在高頻下工作,并支持高密度電源...

2020-03-20 標(biāo)簽:Pcb充電器氮化鎵 5252 0

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