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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

+關(guān)注42人關(guān)注

功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

技術(shù)資料#UCC24612 高頻多模同步整流控制器

技術(shù)資料#UCC24612 高頻多模同步整流控制器

UCC24612 是一款高性能同步整流器控制器和驅(qū)動(dòng)器,適用于標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。通過(guò)實(shí)現(xiàn)近乎理想的二極管仿真UCC246...

2025-02-24 標(biāo)簽:MOSFET整流器功率器件 905 0

碳化硅功率器件的工作原理和優(yōu)勢(shì)

  隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用,從電動(dòng)汽車到數(shù)據(jù)中心,再到可再生能源系統(tǒng),其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。在這一領(lǐng)域,碳化硅...

2023-12-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 903 0

基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述

基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述

拿到一個(gè)ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過(guò)渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標(biāo)題的問(wèn)題沒(méi)找到答案。有...

2025-03-01 標(biāo)簽:MOSFET逆變器功率器件 899 0

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

德州儀器的默認(rèn)過(guò)流保護(hù)方法被歸類為“電流鎖存”保護(hù);這意味著,若在器件中檢測(cè)到任何過(guò)流故障,F(xiàn)ET將安全關(guān)斷,并在故障復(fù)位前保持關(guān)斷狀態(tài)。在我們的70m...

2019-04-24 標(biāo)簽:德州儀器功率器件氮化鎵 892 0

碳化硅功率器件:革新未來(lái)能源與電力電子技術(shù)的關(guān)鍵材料

碳化硅功率器件:革新未來(lái)能源與電力電子技術(shù)的關(guān)鍵材料

隨著全球?qū)Ω咝茉吹牟粩嘧非蠛碗娮蛹夹g(shù)的快速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能邊界。

2024-03-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 890 0

西門子邏輯指令輕松辨別

西門子邏輯指令輕松辨別

梯形圖由多個(gè)梯級(jí)組成,每個(gè)線圈可構(gòu)成一個(gè)梯級(jí),每個(gè)梯級(jí)有多條支路,每個(gè)梯級(jí)代表一個(gè)邏輯方程;

2024-02-20 標(biāo)簽:繼電器plc存儲(chǔ)器 881 0

繼電器光耦的工作原理與應(yīng)用探討

繼電器光耦的工作原理與應(yīng)用探討

繼電器光耦主要由發(fā)光二極管(LED)和光敏三極管(或光敏電阻)兩部分組成。發(fā)光二極管作為輸入端,當(dāng)輸入電流通過(guò)時(shí),會(huì)發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。

2024-02-27 標(biāo)簽:繼電器發(fā)光二極管光耦 877 0

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來(lái),碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。

2023-01-17 標(biāo)簽:封裝封裝技術(shù)功率器件 872 1

惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用

近年來(lái),隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,功率器件封測(cè)設(shè)備和材料在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來(lái)越重要,國(guó)內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。

2023-02-10 標(biāo)簽:電力電子功率器件碳化硅 862 0

微型逆變器小華MCU與上海貝嶺功率器件方案

微型逆變器小華MCU與上海貝嶺功率器件方案

適用微型逆變器500-1000W控制板應(yīng)用方案,包含MCU設(shè)計(jì)參考例程,上海貝嶺功率mos,igbt,ldo,運(yùn)放,比較器,存儲(chǔ)器等在逆變器產(chǎn)品應(yīng)用的方案。

2024-12-22 標(biāo)簽:mcu功率器件微型逆變器 860 0

意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家...

2025-02-07 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體功率器件 858 0

薩科微光耦SL3063應(yīng)用解決方案

薩科微光耦SL3063應(yīng)用解決方案

光耦的主要作用是電氣絕緣和信號(hào)隔離,優(yōu)點(diǎn)是其輸入端與輸出端完全實(shí)現(xiàn)了電氣隔離,抗干擾能力強(qiáng),使用壽命長(zhǎng),傳輸效率高。

2023-05-17 標(biāo)簽:光耦功率器件碳化硅 854 0

提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法

對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán),測(cè)試結(jié)果用于驗(yàn)證、評(píng)價(jià)、對(duì)比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。

2023-07-10 標(biāo)簽:泰克驅(qū)動(dòng)電路功率器件 851 0

功率半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介1

功率半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介1

簡(jiǎn)介: 單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),導(dǎo)通和斷開兩種狀態(tài),不具備放大,單向?qū)ǎ? 無(wú)外部電流、電壓控制,就是0和1的狀態(tài),電壓電流較小。 應(yīng)用: 各種電子設(shè)備...

2023-02-20 標(biāo)簽:MOSFETPN結(jié)功率器件 845 0

SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量

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汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...

2024-10-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 840 0

基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究

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近日,在西安·曲江國(guó)際會(huì)議中心舉辦的2024中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十七屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)(CPEEC & CPSSC 20...

2024-11-18 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體功率器件 840 0

深度解析通用汽車奧特能無(wú)線電池管理系統(tǒng)及應(yīng)用框圖

深度解析通用汽車奧特能無(wú)線電池管理系統(tǒng)及應(yīng)用框圖

電池包還可根據(jù)軸距允許的電池外殼尺寸在每層裝入6塊到12塊不等的電池模組,使得車輛上裝載的總電池模組數(shù)量從最少6塊(6x1層),到多達(dá)24塊(12x2層...

2023-10-24 標(biāo)簽:輸出電壓電池管理系統(tǒng)功率器件 839 0

碳化硅二極管優(yōu)勢(shì)有哪些?

碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì)   1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性   寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標(biāo)簽:功率器件SiC寬禁帶 838 0

功率器件開關(guān)速度對(duì)傳導(dǎo)、輻射產(chǎn)生的認(rèn)識(shí)

功率器件開關(guān)速度對(duì)傳導(dǎo)、輻射產(chǎn)生的認(rèn)識(shí)

高頻變化的電流在電感上產(chǎn)生電磁能量收放,這種磁場(chǎng)是空間發(fā)散的,不受控集中時(shí),會(huì)對(duì)空間別的線路產(chǎn)生d電-d磁-d電的干擾,應(yīng)盡量做小線路中分布電感。

2023-10-13 標(biāo)簽:電源電路電磁輻射emc 837 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及發(fā)展

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理特性,如高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等,在功率器件領(lǐng)域展...

2023-12-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 837 0

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    深度學(xué)習(xí)
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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